mos管是金属—氧化物—半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。

双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。FET的增益等于它的transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。市面上常有的一般为N沟道和P沟道，而P沟道常见的为低压mos管。

MOS管结构原理图解。结构和符号（以N沟道增强型为例）在一块浓度较低的P型硅上扩散两个浓度较高的N型区作为漏极和源极，半导体表面覆盖二氧化硅绝缘层并引出一个电极作为栅极。（1）VGS=0时，不管VDS极性如何，其中总有一个PN结反偏，所以不存在导电沟道。VGS=0，ID=0， VGS必须大于0管子才能工作。  （2）VGS》0时，在Sio2介质中产生一个垂直于半导体表面的电场，排斥P区多子空穴而吸引少子电子。当VGS达到一定值时P区表面将形成反型层把两侧的N区沟通，形成导电沟道。 VGS》0→g吸引电子→反型层→导电沟道， VGS↑→反型层变厚→VDS↑→ID↑  （3）VGS≥VT时而VDS较小时：VDS↑→ID↑。 VT：开启电压，在VDS作用下开始导电时的VGS°。VT=VGS—VDS。 （4）VGS》0且VDS增大到一定值后，靠近漏极的沟道被夹断，形成夹断区。VDS↑→ID不变。

单向晶闸管是PNPN闪层结构，形成三个PN结，具有阳极人、阴极K和控制极G三个外电极。单向品闸管可等效为PNP，NPN两个晶体管组成的复合管。在阳极A之间加上正电压后，晶闸管并不导通。只有在控制极G加上触发电压时，VT1、VT2相继迅速导通，并且互相提供基极电流维持晶闸管导通。此时即使去掉控制极上的触发电压，晶闸管仍维持导通状态，直至所通过的电流小于晶闸管的维持电流时，晶闸管才关断。

双向晶闸管可以等效为两个单向晶闸管反向并联。双向晶闸管可以控制双向导通，因此除控制极G外的另两个电极不再分阳极、阴极，而称之为主电极T1、T2。当有触发电压加至控制极G时，双向晶闸管导通，井在触发电压消失后仍维持导通状态，电流既可从T1经过VS2流向T2，又可从T2经过VS1流向Tl。当电流小于晶闸管的维持电流时晶闸管关断。

可关断晶闸管工作原理。普通单向或双向晶闸管导通后控制极即不起作用，要关断晶闸管必须切断电源，使流过晶闸管的正向电流小于维持电流IH可关断品闸管的特点是可以通过控制极关断，克服了上述缺陷。当可关断晶闸管控制极G加上正脉冲电压时晶闸管导通，当控制极G加上负脉冲电肤日寸晶闸管关断。

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