陶瓷基板是指铜箔在高温下直接键合到氧化铝(Al2O3)或氮化铝(AlN)陶瓷基片表面(单面或双面)上的特殊工艺板。所制成的超薄复合基板具有优良电绝缘性能，高导热特性，优异的软钎焊性和高的附着强度，并可像PCB板一样能刻蚀出各种图形，具有很大的载流能力。因此，陶瓷基板已成为大功率电力电子电路结构技术和互连技术的基础材料。

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陶瓷基片主要特点

陶瓷基片具有耐高温、电绝缘性能高、介电常数和介质损耗低、热导率大、化学稳定性好、与元件的热膨胀系数相近等主要优点，但陶瓷基片较脆，制成的基片面积较小，成本高。

陶瓷基片分类

按照陶瓷基片应用领域的不同，又分为HIC（混合集成电路）陶瓷基片、聚焦电位器陶瓷基片、激光加热定影陶瓷基片、片式电阻基片、网络电阻基片等；按加工方式的不同，陶瓷基片分为模压片、激光划线片两大类。

电子封装陶瓷基片材料的特点

陶瓷基片是一种常用的电子封装基片材料，与塑封料和金属基片相比，其优势在于以下几个方面：

1)绝缘性能好，可靠性高。高电阻率是电子元件对基片的最基本要求，一般而言，基片电阻越大，封装可靠性越高，陶瓷材料一般都是共价键型化合物，其绝缘性能较好。

2)介电系数较小，高频特性好。陶瓷材料的介电常数和介电损耗较低，可以减少信号延迟时间，提高传输速度。

3)热膨胀系数小，热失配率低。共价键型化合物一般都具有高熔点特性，熔点越高，热膨胀系数越小，故陶瓷材料的热膨胀系数一般较小。

4)热导率高。根据传统的传热理论，立方晶系的BeO、SiC和AlN等陶瓷材料，其理论热导率不亚于金属的。

因此，陶瓷基片材料被广泛应用于航空、航天和军事工程的高可靠、高频、耐高温、强气密性的产品封装。陶瓷基片材料的封装一般为多层陶瓷基片封装，该技术源于1961年PARK发明的流延工艺，后来被广泛地用于混合集成电路(HIC)和多芯片模件(MCM)陶瓷封装。

从20世纪60年代至今，美国、日本等发达国家相继推出叠片多层陶瓷基片封装材料和工艺，陶瓷基片已经成为世界上广泛应用的几种高技术陶瓷之一，而且日本是世界上最大的陶瓷基片生产国，约占全球50%。目前，研究应用最成熟的陶瓷基片材料是Al2O3基片，它具有良好的电气性能和力学性能。除了Al2O3之外，还有A1N、BeO、Si3N4和SiC等。

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