单向可控硅为具有三个 PN 结的四层结构，由最外层的 P 层、N 层引出两个电极——阳 极 A 和阴极 K，由中间的 P 层引出控制极 G。电路符号好像为一只二极管，但好多一个引 出电极——控制极或触发极 G。SCR 或 MCR 为英文缩写名称。

从控制原理上可等效为一只 PNP 三极管与一只 NPN 三极管的连接电路， 两管的基极电 流和集电极电流互为通路，具有强烈的正反反馈作用。一旦从 G、K 回路输入 NPN 管子的 基极电流，由于正反馈作用，两管将迅即进入饱合导通状态。可控硅导通之后，它的导通状 态完全依靠管子本身的正反馈作用来维持，即使控制电流（电压）消失，可控硅仍处于导通 状态。控制信号 UGK 的作用仅仅是触发可控硅使其导通，导通之后，控制信号便失去控制 作用。

单向可控硅的导通需要两个条件：

1） 、A、K 之间加正向电压；

2） 、G、K 之间输入一个正向触发电流信号，无论是直流或脉冲信号。

若欲使可控硅关断，也有两个关断条件：

1） 、使正向导通电流值小于其工作维持电流值；

2） 、使 A、K 之间电压反向。

可见，可控硅器件若用于直流电路，一旦为触发信号开通，并保持一定幅度的流通电流 的话，则可控硅会一直保持开通状态。除非将电源开断一次，才能使其关断。若用于交流电 路，则在其承受正向电压期间，若接受一个触发信号，则一直保持导通，直到电压过零点到 来，因无流通电流而自行关断。在承受反向电压期间，即使送入触发信号，可控硅也因 A、 K 间电压反向，而保持于截止状态。 可控硅器件因工艺上的离散性，其触发电压、触发电流值与导通压降，很难有统一的标 1 准。可控硅器件控制本质上如同三极管一样，为电流控制器件。功率越大，所需触发电流也 越大。触发电压范围一般为 1.5V—3V 左右，触发电流为 10mA—几百 mA 左右。峰值触发 电压不宜超过 10V，峰值触发电流也不宜超过 2A。A、K 间导通压降为 1—2V。

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