场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电，被称之为双极型器件。

场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但普通运用时只需关注以下主要参数：饱和漏源电流IDSS夹断电压Up，（结型管和耗尽型绝缘栅管，或开启电压UT（加强型绝缘栅管）、跨导gm、漏源击穿电压BUDS、最大耗散功率PDSM和最大漏源电流IDSM。

饱和漏源电流IDSS是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压UGS＝0时的漏源电流。夹断电压UP是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。如同4-25所示为N沟道管的UGS一ID曲线，可明白看出IDSS和UP的意义。如图4-26所示为P沟道管的UGS-ID曲线。开启电压UT是指加强型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。如图4-27所示为N沟道管的UGS-ID曲线，可明白看出UT的意义。如图4-28所示为P沟道管的UGS-ID曲线。

跨导gm是表示栅源电压UGS对漏极电流ID的控制才能，即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。9m是权衡场效应管放大才能的重要参数。漏源击穿电压BUDS是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能接受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必需小于BUDS。最大耗散功率PDSM也是—项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。运用时场效应管实践功耗应小于PDSM并留有—定余量。最大漏源电流IDSM是另一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许经过的最大电流。场效应管的工作电流不应超越IDSM。

我们主板中常用的MOS管GDS三个引脚是固定的。不管是N沟道还是P沟道都一样。把芯片放正从左到右分别为G极D极S极！用二极管档对MOS管的测量。首先要短接三只引脚对管子进行放电。1、然后用红表笔接S极。黑表笔接D极。如果测得有500多的数值。。说明此管为N沟道。2、黑笔不动。。用红笔去接触G极测得数值为1。3、红笔移回到S极。此时管子应该为导通。

4、然后红笔测D极。而黑笔测S极。应该测得数值为1.（这一步时要注意。因为之前测量时给了G极2.5V万用表的电压。。所以DS之间还是导通的。。不过大概10几秒后才恢复正常。。。建议进行这一步时再次短接三脚给管子放电先）。5、然后红笔不动。黑笔去测G极。数值应该为1。 到此我们可以判定此N沟道场管为正常。后面两步可以酌情省略不测。不过一般习惯性做完五个步骤。当然。对然P沟道的测量步骤也一样。只不过第一步为黑表笔测S极。红表笔测D极。可以测得500多的数值。测量方法描述到此结束。

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