双栅场效应管有一个源极、一个漏极和两个栅极，在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻，其中两个栅极是互相独立的，使得它可以用来作高频放大器、混频器、解调器及增益控制放大器等。双栅场效应管也称为双栅mos管。它是一个管子中有两个控制极。从结构上来看可以认为是两个单栅场效应管的串联，增加了第二栅极g2，它具有一定的屏蔽作用，使得漏极与第一栅极之间的反馈电容变得很小，如图所示是彩色电视机高频调作用的双栅场效应管高频放大器。

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双栅场效应管的主要参数

双栅场效应管的检测方法

1．判定栅极G

将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。

2．判定源极S、漏极D

由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。

3．测量漏-源通态电阻RDS（on）

将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。

由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。

4．检查跨导

将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。

双栅场效应管的原理

双栅场效应管也称为双栅MOS管。它是一个管子中有两个控制极。从结构上来看可以认为是两个单栅场效应管的串联，增加了第二栅极g2，它具有一定的屏蔽作用，使得漏极与第一栅极之间的反馈电容变得很小，如图所示是彩色电视机高频调作用的双栅场效应管高频放大器。双栅场效应管高频放大器从结构上来说可以认为是共源-共栅放大器的形式。值得注意的是栅g2的电压时可以改变场效应管正向传输特性曲线的斜率，从而改变高频放大器的增益。

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