石英晶振分为贴片和插件两种，插件石英晶体最常见的是圆柱晶振以及椭圆形晶体。贴片晶振封装尺寸较多，主要有7.0x5.0mm、5.0x3.2mm、3.2x2.5mm、2.0x1.6mm、1.6x1.2mm，贴片晶振封装尺寸不同在不同领域使用所展现的性能也不同。

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选用晶振最关键的参数在于6点，晶振的封装尺寸、晶振的频率（有些频率较偏使用较少）、晶振的精度偏差、晶振的负载电容、晶振的温度使用范围要求、以及有源晶振的电源电压要求。根据客户在不同环境中所使用到的产品不同选择不同参数。

晶振的分类。按制作材料分类可分为石英晶振和陶瓷晶振。按应用特性分类可分为串联谐振型晶振和并联谐振型晶振。按负载电容特性分类可分为低负载电容型晶振和高负载电容型晶振。按晶振的功能和实现技术分类：可以将晶振分为温度补偿晶体振荡器（TCXO）、压控晶体振荡器（VCXO）、普通晶体振荡器（SPXO）、恒温晶体振荡器（OCXO）。按封装形式分类：可分为玻璃真空密封型晶振、金属壳封装型晶振、陶瓷封装型及塑料壳封装型晶振。按外形分类：可分为长方形晶振、圆柱形晶振、椭圆形晶振。按谐振频率精度分类：可分为高精度型晶振、中精度型晶振及普通型晶振。

晶振在应用具体起到什么作用微控制器的时钟源可以分为两类：基于机械谐振器件的时钟源，如晶振、陶瓷谐振槽路；RC（电阻、电容）振荡器。一种是皮尔斯振荡器配置，适用于晶振和陶瓷谐振槽路。另一种为简单的分立RC振荡器。基于晶振与陶瓷谐振槽路的振荡器通常能提供非常高的初始精度和较低的温度系数。RC振荡器能够快速启动，成本也比较低，但通常在整个温度和工作电源电压范围内精度较差，会在标称输出频率的5%至50%范围内变化。但其性能受环境条件和电路元件选择的影响。需认真对待振荡器电路的元件选择和线路板布局。

在使用时，陶瓷谐振槽路和相应的负载电容必须根据特定的逻辑系列进行优化。具有高Q值的晶振对放大器的选择并不敏感，但在过驱动时很容易产生频率漂移（甚至可能损坏）。影响振荡器工作的环境因素有：电磁干扰（EMI）、机械震动与冲击、湿度和温度。这些因素会增大输出频率的变化，增加不稳定性，并且在有些情况下，还会造成振荡器停振。上述大部分问题都可以通过使用振荡器模块避免。这些模块自带振荡器、提供低阻方波输出，并且能够在一定条件下保证运行。最常用的两种类型是晶振模块和集成RC振荡器（硅振荡器）。晶振模块提供与分立晶振相同的精度。

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CMOS放大器功耗与工作频率成正比，可以表示为功率耗散电容值。比如反相器门电路的功率耗散电容值是90pF。在4MHz、5V电源下工作时，相当于1.8mA的电源电流。再加上20pF的晶振负载电容，整个电源电流为2.2mA。陶瓷谐振槽路一般具有较大的负载电容，相应地也需要更多的电流。相比之下，晶振模块一般需要电源电流为10mA~60mA。硅振荡器的电源电流取决于其类型与功能，范围可以从低频（固定）器件的几个微安到可编程器件的几个毫安。

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