为减小体积、降低成本，单片开关电源一般采用简易式单级EMI滤波器，典型电路图3所示。图（a）与图（b）中的电容器C能滤除串模干扰，区别仅是图（a）将C接在输入端，图（b）则接到输出端。图（c）、（d）所示电路较复杂，抑制干扰的效果更佳。图（c）中的L、C1和C2用来滤除共模干扰，C3和C4滤除串模干扰。R为泄放电阻，可将C3上积累的电荷泄放掉，避免因电荷积累而影响滤波特性；断电后还能使电源的进线端L、N不带电，保证使用的安全性。图（d）则是把共模干扰滤波电容C3和C4接在输出端。

EMI滤波器能有效抑制单片开关电源的电磁干扰。图4中曲线a为加EMI滤波器时开关电源上0.15MHz～30MHz传导噪声的波形（即电磁干扰峰值包络线）。曲线b是插入如图3（d）所示EMI滤波器后的波形，能将电磁干扰衰减50dBμV～70dBμV。显然，这种EMI滤波器的效果更佳。

3 EMI滤波器的技术参数及测试方法

3.1 主要技术参数

EMI滤波器的主要技术参数有：额定电压、额定电流、漏电流、测试电压、绝缘电阻、直流电阻、使用温度范围、工作温升Tr、插入损耗AdB、外形尺寸、重量等。上述参数中最重要的是插入损耗（亦称插入衰减），它是评价电磁干扰滤波器性能优劣的主要指标。

插入损耗（AdB）是频率的函数，用dB表示。设电磁干扰滤波器插入前后传输到负载上的噪声功率分别为P1、P2,有公式：

AdB=10lg(P1/P2)    (1)

假定负载阻抗在插入前后始终保持不变，则P1=V12/Z，P2=V2 2/Z。式中V1是噪声源直接加到负载上的电压，V2是在噪声源与负载之间插入电磁干扰滤波器后负载上的噪声电压，且V2

AdB=20lg(V1/V2)    (2)

插入损耗用分贝（dB）表示，分贝值愈大， 说明抑制噪声干扰的能力愈强。鉴于理论计算比较烦琐且误差较大，通常是由生产厂家进行实际测量，根据噪声频谱逐点测出所对应的插入损耗，然后绘出典型的插入损耗曲线，提供给用户。图5给出一条典型曲线。由力疔见，该产品可将1MHz～30MHz的噪声电压衰减65dB。

计算EMI滤波器对地漏电流的公式为：

ILD=2πfCVc    （3）

式中，ILD为漏电流，f是电网频率。以图1为例，f=50Hz，C=C3+C4=4400pF，Vc是C3、C4上的压降，亦即输出端的对地电压，可取Vc≈220V/2=110V。由（3）式不难算出，此时漏电流ILD=0.15mA。C3和C4若选4700pF，则C=4700pF×2=9400pF，ILD=0.32mA。显然，漏电流与C成正比。对漏电流的要求是愈小愈好，这样安全性高，一般应为几百微安至几毫安。在电子医疗设备中对漏电流的要求更为严格。

需要指出，额定电流还与环境温度TA有关。例如国外有的生产厂家给出下述经验公式：

I=I1×[(85-TA)/45的根据2次方]

式中，I1是40℃时的额定电流。举例说明，当TA=50℃时，I=0.88I1；而当TA=25℃时，I=1.15I1。这表明，额定电流值随温度的降低而增大，这是由于散热条件改善的缘故。

3.2 测量插入损耗的方法

测量插入损耗的电路如图6所示。e是噪声信号发生器，Zi是信号源的内部阻抗，ZL是负哉阻抗，一般取50Ω。噪声频率范围可选10kHz～30MHz。首先要在不同频率下分别测出插入前后负载上的噪声压降V1、V2，再代入（2）式中计算出每个频率点的AdB值，最后绘出插入损耗曲线。需要指出，上述测试方法比较烦琐，每次都要拆装EMI滤波器。为此可用电子开关对两种测试电路进行快速切换。