ME8325内部集成了2A/650V的高压功率MOS 管，用于充电器，适配器和LED 驱动领域。实现±5%的恒压恒流精度和小于100mW 的待机功耗。在恒压模式下内置了线电压补偿功能。该芯片具有欠压保护，过压保护，软启动，逐周期过流保护，所有管脚浮空保护，内置前沿消隐，VDD 电压钳位保护，过温保护等功能，优良的EMI性能和极高的性价比，为电源设计提供了最佳选择。
1.ME832X系列的区别:
ME8325:
内置2A/650V高压功率MOS管
可做15W的输出功率
封装DIP7
ME8327:
内置2A/650V高压功率MOS管
可做10.5W的输出功率
封装SOP7
ME8321:
内置1A/650V高压功率MOS管
可做6W的输出功率
封装SOP7
2.产品特点:
具有软启动，防止开机炸机
内置2A/650V高压功率MOS管
恒压模式下内置线压降补偿
具有多种保护功能，可靠性高
无异音工作，设计简单方便
低待机功耗、高效率，满足能源之星6的要求
3.12W产品应用图
4.产品PCB图、DEMO板实物图:
5. PCB布线及注意事项:
功率回路尽量短，且与其他回路分开，改善系统EMC
采样回路尽量短，以防止采样受到干扰，提高系统EFT能力
VDD电容尽量紧贴芯片供电脚与GND脚，提高系统ESD能力
芯片小信号回路应远离EMI滤波器的磁性元器件，改善电磁兼容性
为提高系统可靠性，功率器件应降额使用，在最糟情况下，推荐降额系数如下：电压De-rating系数为0.85，如芯片Vds电压低于555V（650*0.85）；温度De-rating系数为0.85，如芯片表面温度低于115度（135*0.85）。
6. 产品关键电气参数:
输出用普通的S1550或一个普通的SR540并上一个S1045就能有3个点左右的余量（6级），为整体方案提供了优良的性价比。
