发布时间：2025-08-5 阅读量：65 来源: 我爱方案网 作者: wenwei
【导读】全球半导体龙头企业台积电在先进制程领域取得重大突破。据供应链确认，其位于高雄楠梓科学园区的首座2纳米晶圆厂（P1）正式进入量产阶段，月产能达1万片；第二座厂房（P2）设备装机进度超前，预计2024年底启动试产。同步推进的竹科宝山F20厂区P1厂已完成风险试产，P2厂装机完毕，南北双基地四座工厂将共同构建2纳米核心产能矩阵。
技术架构与产能规划双轨并进
台积电2纳米制程采用革命性纳米片（Nanosheet）晶体管架构，较3纳米制程实现能效跃升：相同功耗下性能提升15%，或同等性能下功耗降低24%-35%，晶体管密度增幅达15%。供应链预估，2024年四座工厂合计月产能将突破3万片，2025年总产能有望跨越6万片门槛，为AI芯片及高性能计算领域提供核心支撑。
制造生态扩展与技术迭代同步
高雄P3厂将率先导入2纳米强化版A16制程，后续P4、P5厂持续扩充产能。竹科P3、P4厂则规划切入A14制程节点。据财报显示，2纳米前两代设计定案数量已超越3纳米及5纳米同期水平，预计将驱动未来五年全球2.5万亿美元终端产品价值。市场消息称单片晶圆价格或达3万美元，较3纳米溢价50%，成为台积电营收增长新引擎。
3纳米持续放量构筑技术护城河
在推进2纳米量产的同时，台积电3纳米制程已进入量产第三年，N3E、N3P、N3X等多版本技术覆盖智能手机至车用芯片领域。2024年第二季度3纳米营收占比达24%，贡献约新台币2240亿元业绩，预计下半年产能同比增幅超60%。技术路线图显示，2纳米量产爬坡曲线将复刻3纳米成功路径，巩固其在先进制程市场的领先地位。
在数字化办公与工业4.0浪潮下，A3多功能打印机及高精度检测设备对图像传感器提出了更严苛要求。2025年8月5日，东芝电子推出新一代CCD线性图像传感器TCD2728DG，通过突破性噪声抑制技术和100MHz高速传输能力，为高端扫描与检测应用提供硬核支持。
美国科技产业正经历前所未有的基础设施投资潮。行业分析师最新数据显示，微软、亚马逊、谷歌母公司Alphabet及Meta Platforms四家企业2025年资本支出总额预计突破3440亿美元，较2023年实现成倍增长。Bloomberg Intelligence分析师Mandeep Singh指出："人工智能革命迫使科技公司将云计算资本支出规模提升至原有水平的3倍以上。"
（2025年8月4日，上海报道）：安森美半导体（onsemi，纳斯达克股票代码：ON）于2025年8月4日正式披露，其先进的EliteSiC M3e碳化硅技术已成功应用于小米汽车旗下YU7系列电动SUV的部分车型驱动系统中。该技术集成于800V高电压电气架构平台，标志着双方在电动汽车核心组件领域的重要合作进展。EliteSiC M3e平台基于第三代碳化硅半导体材料开发，专注于提升功率密度与热管理效能，助力整车厂商实现牵引系统的小型化、轻量化及可靠性优化。
2025年7月，全球存储芯片市场延续强势上行态势。据DRAMeXchange最新数据显示，DRAM与NAND闪存合约价已实现连续第四个月增长，其中PC DRAM（DDR4 8Gb 1Gx8）单月涨幅高达50%，均价攀升至3.90美元，创近四年新高。与此同时，NAND闪存（128Gb 16Gx8 MLC）均价环比上涨8.67%，达3.39美元，维持自今年1月以来的连续上涨纪录。
贸泽电子即日开放英特尔旗下Altera Agilex™ 3 FPGA C系列开发套件供应。该平台采用高密度桌面封装设计，集成PCIe 3.0 x1扩展位与模块化子卡系统，专为工业自动化设备、医疗影像处理器、安防系统控制器等高可靠性场景打造硬件开发基础架构。
