台积电美国先进封装布局提速,2028年启动SoIC与CoPoS双线扩张

发布时间:2025-07-10 阅读量:167 来源: 我爱方案网 作者: wenwei

【导读】据产业最新动态,台积电正加速推进美国亚利桑那州半导体生态链建设。除现有晶圆厂外,该公司计划于2028年动工两座先进封装厂,重点部署其顶尖的SoIC(系统整合芯片)和CoPoS(Chip-on-Package-on-Substrate)技术,以满足北美市场对AI及高性能计算(HPC)芯片的封装需求。


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技术路线图:SoIC优先导入,CoPoS协同升级


业内消息指出,新建封装厂将与第三座晶圆厂(代号F21 P3)形成一体化生产集群。初期技术导入以成熟度更高的SoIC为核心,该技术已实现量产应用,未来将与后段CoWoS封装及新一代CoPoS进行三维集成。这一策略旨在突破传统封装密度极限,为2纳米以下制程芯片提供超高速互连解决方案。


晶圆厂与封装协同扩产,2纳米制程2025年进驻


根据设备供应链信息,台积电美国第三厂将于2025年Q2启动设备安装,率先量产N2(2纳米)及后续A16制程芯片。第四厂将复制相同技术路径,而第五、六厂则规划更先进制程。晶圆厂与封装厂的协同选址,将显著缩短芯片制造周期,提升对美系客户的本地化服务能力。


客户需求驱动技术迭代,CoPoS量产锁定2029年


当前AMD已在高端处理器采用SoIC技术,苹果、英伟达、博通等客户计划在下一代产品导入。针对尚处发展初期的CoPoS技术,台积电规划2026年于中国台湾建立首条实验线,2028年底在嘉义科学园区AP7厂实现量产。双线并进策略将确保技术过渡的稳定性,应对2028年后AI芯片的封装需求爆发。


地缘战略意义:重构北美半导体供应链


此次扩产标志着台积电首次在海外建立尖端封装产能。通过将前段制程与后段封装深度整合,台积电不仅响应了美国《芯片法案》的本地化要求,更在AI芯片竞争中构筑技术壁垒。行业分析师指出,此举将改写全球先进封装产业格局,加速3D异质集成技术的商业化进程。


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