两款高性能数字电源方案的硬件性能、成本及应用场景差异分析!

发布时间:2025-07-4 阅读量:67 来源: 我爱方案网 作者: bebop

随着物联网(IoT)、工业4.0和人工智能(AI)应用的蓬勃发展,电源系统正从单纯的“能量转换单元”向“智能能源管理节点”跃迁。数字电源技术正是这一转型的核心支柱。其本质在于利用高速数字处理器对电源参数进行实时采样、计算和控制,实现了电源状态的高度可视化、运行策略的可编程化以及与管理系统的无缝通信(如PMBus, I2C, CAN)。


从技术角度看,数字电源由DSP或MCU控制,相对而言,DSP控制的电源采用数字滤波,可以满足复杂的电源要求,实时响应速度更快,电源电压调节性能更好。现在的功率模块IC将脉宽调制器(PWM)、电感、功率MOSFET和无源元件均集成到一个小封装中用于高效功率转换,因此,构建一个完整的数字电源系统只需几个输入和输出端,电源的设计变得越来越简单易行。由于电源模块IC仅以较小的PCB面积即可为各种导轨供电,因此,系统设计者可以开发出更紧凑、外形更小的电子产品。


在同样的体积、同样的PCB尺寸之内,电源方案的需求是提高整体效率、提高功率、提高密度,这样对产品的散热提出了很高的要求,对控制器芯片的主频要求也越来越高。


在此背景下,我爱方案网特推荐基于STM32F334开发的3.6 kW 图腾柱 PFC数字电源方案和基于小华HC32F334开发的两路交错无桥图腾柱TCM_PFC数字电源方案,并进行性能差异对比分析,提供现成方案参考设计。


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一、两方案对比总结

对比维度STM32F334方案小华HC32F334方案
拓扑与控制
图腾柱CCM模式+LLC,依赖GaN/SiC器件
两路交错TCM模式,全软开关,兼容硅基器件
效率
>98%(1kW级)
98.5%  (1.6kW)
功率密度
高(高频GaN器件)
中高(依赖交错技术降纹波)
THD优化
未公开细节
<2.5%@220V
,过零点消畸技术
成本
较高(需GaN/SiC)
低成本
(互感器检测+硅基MOS)
关键创新
多模式PFC控制器+高频GaN驱动
数字可编程PLA+HRPWM事件灵活触发
适用场景
高端服务器/通信电源(钛金标准)
中功率工业电源(1.6kW)、光储系统

二、两款方案具体参数细节:

1、STM32F334 3.6 kW 图腾柱 PFC数字电源方案

方案优势:
拓扑与控制模式
采用图腾柱无桥PFC + LLC谐振拓扑,结合连续导通模式(CCM) ,降低开关损耗并提升效率(典型效率>98%)。
功率器件技术
使用SiC/GaN功率器件(如650V GaN FET),支持高频开关(>100kHz),减小磁性元件体积,提升功率密度。
控制策略
数字控制基于STNRGPF01 PFC控制器,支持多模式切换(CCM/CRM/DCM),优化全负载范围效率
集成自适应死区调节、软启动功能,降低EMI干扰
保护功能
提供输入过压/欠压、输出过流/短路、过温等全保护,支持故障自恢复机制
适用场景
面向服务器电源、通信电源等高功率(1kW级)需求场景,符合钛金牌能效标准

方案规格:

  • 峰值效率:97.5 %,THD 为 3.7%
  • 紧凑型 PFC 转换器
  • 更长的开关寿命
  • 符合 4 kV 的 EMI 规范
  • 符合 RoHS 和 WEEE 标准

2、小华HC32F334两路交错无桥图腾柱TCM_PFC方案

图片
方案采用互感器检测正、负向电流实现整流管OCP保护以及续流管负电流关断,同时实现交错控制。图5为满载电流交错以及主管实现ZVS的情况。图6为参考方案的THD、PF值以及效率曲线。参考方案的THD与PF值指标满足更加严格的M_CRPS标准。

             

图片

图 5 Vin>Vout/2下的ZVS实现以及电感电流交错波形

图片
图片

额定220V输入下THD曲线(左轴)和PF值(右轴)以及不同输入下的效率曲线

方案优势:

基于自主知识产权的数字电源控制器方案

全输入电压范围软开关

低成本电流检测方案

领先的三角波TCM变频控制模式

输入过流保护,输出过压保护,电感电流正向

OCP、负向OCP保护

效率高达98.5%

方案规格参数:

  输入电压:AC 176-264V

  输出电压:DC 420V

  功率:1600W

  峰值效率:98.5%

  频率范围:22.2kHz-300kHz

  PFC功率因素:峰值0.999

  THDI:2.5%@220V

使用场景
中功率工业电源(1.6kW)、光储系统

总结:

ST方案适合追求极限效率(>98%)和高频紧凑设计的场景,需承担GaN器件成本,符合钛金能效认证需求
小华方案优势在于低成本高集成数字控制,通过TCM变频和交错技术兼顾效率(98.5%)与THD性能(<2.5%),适合硅基器件的中功率应用。

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