罗姆宽禁带半导体驱动800V HVDC架构落地,破解AI数据中心能效困局

发布时间:2025-06-23 阅读量:329 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】随着全球AI算力需求年均增长率突破35%(IDC 2025),传统54V数据中心供电架构面临铜损高、转换效率低、空间占用大三重瓶颈。英伟达率先推出800V高压直流(HVDC)架构,而罗姆半导体作为核心功率器件供应商,凭借SiC/GaN/Si三级技术矩阵,为兆瓦级AI工厂提供高密度、低损耗的能源底座。


一、方案优势与技术突破


(一)三层技术架构解决核心痛点


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(二)关键性能对比(数据来源:罗姆官网2025技术白皮书)


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二、国际对标案例与数据验证


(一)全球头部企业方案横向对比


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注:数据源自各企业2024-2025年度产品技术文档


(二)典型场景效能分析


在英伟达HGX H100集群中,罗姆方案实现:


  ●   配电层级简化:AC/DC转换环节从4级压缩至2级

  ●   空间利用率提升:电源模块体积减小60%,单机架功率提升至120kW

  ●   TCO优化:按10MW数据中心测算,年省电费超280万美元(电价$0.12/kWh)


三、产业协同与生态构建


罗姆通过三大合作路径推动标准落地:


1. 硬件层面:HSDIP20封装SiC模块直接集成至NVIDIA GPU供电背板

2. 协议层:联合开发智能功率控制系统(SPC),动态调节GaN开关频率

3. 基建层:与ABB、施耐德共建800V HVDC配电标准联盟


结论:重新定义AI基础设施能效基准


罗姆的宽禁带半导体技术矩阵不仅解决高能耗、低密度、高成本的核心痛点,更推动数据中心PUE从1.5向1.1演进。随着EcoGaN™与第四代SiC模块在腾讯青浦AI基地、Google俄亥俄超算中心的规模化部署,800V HVDC架构将成为绿色算力的新基准。未来三年,该技术有望在全球30%的新建AI数据中心普及,累计减少碳排放450万吨,真正实现算力增长与可持续发展的双轨并行。


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