发布时间：2025-06-13 阅读量：473 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布，其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份，标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计，仅在散热方案上存在差异，均配备288GB HBM3E内存，较上一代MI300X的192GB提升50%，比MI325X提升12.5%。
HBM3E大规模集成赋能AI算力集群
在系统层级部署中，每套搭载8颗MI350系列GPU的平台将整合2.3TB HBM3E显存。AMD同步公布服务器机架扩展战略：通过集成最高128颗GPU构建超大规模AI算力集群。这一布局将显著拉动三星HBM3E的产能需求，预计月供应量需达数万颗级别才能满足终端部署。
HBM4技术路线图曝光，MI400系列实现跨代升级
AMD同时披露2025年推出的MI400系列技术细节，该平台将首次采用下一代HBM4内存。单颗GPU将集成432GB HBM4显存，创下行业新高。在Helios服务器架构中，72颗MI400 GPU可构建31TB超大内存池，其AI算力性能较当前MI355X平台提升达10倍。AMD CEO苏姿丰强调："该平台计算效能比肩英伟达Vera Rubin架构，且HBM带宽与容量实现1.5倍领先优势。"
HBM4产业竞赛白热化，三星押注尖端工艺
随着JEDEC规范定稿在即，三星电子与SK海力士计划2025年底启动HBM4量产。当前市场竞争格局中，SK海力士以36.9%的DRAM份额领先(Omdia 2024Q1数据)，三星（34.4%）与美光（25%）紧随其后。三星正加速第六代10nm级（1c）工艺研发，力图通过更高性能的HBM4方案反超竞争对手。而SK海力士与美光则基于第五代10nm级（1b）工艺推进开发。
产业链协同重塑AI硬件格局
行业分析师指出："HBM4规格迭代是三星反超的关键窗口期，若不能把握技术拐点，与头部厂商差距可能继续扩大。"AMD通过MI400系列架构创新持续缩小与英伟达的差距，其与三星在MI350系列建立的深度合作将成为双方对抗头部厂商的重要基石。随着AI芯片算力需求呈指数级增长，HBM供应链协同效能将直接影响全球AI基础设施的建设进程。
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息，其核心制造部门——英特尔代工厂（Intel Foundry）的“初步”裁员已于7月中旬展开，预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调，该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”，此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕，标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后，美光也正式向核心客户发出通知，确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息，三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程，标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED"，但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视（LCD），通过创新背光方案实现画质跃升。
全球光学龙头舜宇光学科技（02382.HK）近期披露2025年5月出货量数据，呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下，公司业务版图正经历深度调整。
2025年6月，AMD正式发布基于CDNA4架构的Instinct MI350系列AI加速器，包含MI350X（1000W风冷）和MI355X（1400W液冷）两款型号。该系列采用台积电N3P 3nm制程与CoWoS-S先进封装，集成1850亿晶体管，配置288GB HBM3e显存与8TB/s带宽，较上代实现4倍训练性能与35倍推理性能提升。其突破性支持FP4/FP6低精度格式，为生成式AI与大语言模型提供革命性算力支持。
