发布时间：2025-06-12 阅读量：570 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】三星电子在冲击AI内存高地的征途上遭遇阻力。2025年6月，其12层HBM3E芯片未通过英伟达的第三次技术认证。这家科技巨头被迫调整战略，计划于9月发起第四次认证冲刺。为把握AI内存需求机遇，三星此前已提前提升HBM3E芯片产能，但此次认证延期显著推迟了其供应时间表。
认证障碍引发供应风险
瑞银分析师在最新报告中警示，三星12层HBM3E的认证仍处于“待决”状态。若第四次认证仍未通过，其向英伟达的出货节点将延期至2025年第四季度。英伟达等AI芯片巨头迫切需要高频宽、低能耗的HBM解决方案，三星的交付延迟将为竞争对手打开机会窗口。
美光技术优势显现
反观美光科技，其HBM技术进展令人瞩目。通过采用韩美半导体公司的热压键合（TCB）尖端设备，美光在多层堆叠技术上实现突破。据产业链验证，其12层HBM3E芯片良率攀升至70%，8层芯片良率达75%。技术突破助力美光成为HBM3E领域的重要竞争者。
HBM4战场提前布局
在下一代HBM4领域的角逐中，美光同样展现锐气。公司确认已向主要客户交付第六代HBM4工程样品。该举措使美光成为全球第二家实现HBM4样品交付的DRAM厂商（继SK海力士于2025年3月交付之后）。这标志着高端AI内存技术竞争已延伸至下一代产品。
需求增长预期微调
虽然HBM市场需求持续旺盛，但行业巨头定制化AI芯片的量产延期已对短期需求构成影响。瑞银在最新预测中将2025年全球HBM需求预期从1890亿GB微调至1630亿GB，2026年需求预估也从2610亿GB调整为2540亿GB，整体仍保持高速增长趋势。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕，标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后，美光也正式向核心客户发出通知，确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息，三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程，标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED"，但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视（LCD），通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布，其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份，标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计，仅在散热方案上存在差异，均配备288GB HBM3E内存，较上一代MI300X的192GB提升50%，比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技（02382.HK）近期披露2025年5月出货量数据，呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下，公司业务版图正经历深度调整。
2025年6月，AMD正式发布基于CDNA4架构的Instinct MI350系列AI加速器，包含MI350X（1000W风冷）和MI355X（1400W液冷）两款型号。该系列采用台积电N3P 3nm制程与CoWoS-S先进封装，集成1850亿晶体管，配置288GB HBM3e显存与8TB/s带宽，较上代实现4倍训练性能与35倍推理性能提升。其突破性支持FP4/FP6低精度格式，为生成式AI与大语言模型提供革命性算力支持。
