发布时间：2025-06-12 阅读量：543 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】近日，Geekbench测试数据库首次曝光英伟达代号为“N1X”的Arm架构PC处理器。该芯片以单核3096分、多核18837分的成绩超越高通骁龙X Elite，标志着英伟达正式进军Windows on Arm PC市场，将与高通、英特尔及AMD展开正面竞争。
技术架构：20核设计或源于Grace Blackwell超级芯片
根据测试信息，N1X采用20线程CPU设计，主频达2.81GHz。由于Arm架构通常不支持同步多线程（SMT），推测其采用20个物理核心。芯片可能基于英伟达与联发科联合设计的GB10 Grace Blackwell超级芯片改良而来，后者搭载10个Cortex-X925和10个Cortex-A725核心。值得关注的是，Geekbench检测显示N1X基于Armv8指令集，而GB10采用Armv9，这可能是指令集识别误差或英伟达定制化设计的结果。
性能表现：全面领先现有竞品
在Ubuntu 24.04.1系统（HP 83A3开发板）的测试中，N1X多核性能较骁龙X Elite提升显著，同时超越英特尔Arrow Lake-HX和AMD Ryzen AI MAX（Strix Halo）。其表现已接近顶级移动处理器酷睿Ultra 9 285HX与Ryzen AI Max+395，但与苹果M4 Max仍有差距。开发板配置显示，该平台配备128GB内存，其中8GB预留给GPU。
产品定位：面向高性能移动端的精简方案
尽管GPU/NPU细节尚未披露，业界推测N1X可能是GB10超级芯片的能效优化版本。考虑到移动平台功耗限制，其Blackwell架构GPU核心数或将大幅精简（GB10搭载6144个CUDA核心）。这种设计结合了联发科的能效优化能力与英伟达的GPU/AI技术，有望吸引戴尔、惠普等传统PC厂商及跨界布局的手机品牌。
市场影响：2026年上市或重塑AI PC生态
消息称N1X预计2026年面世，而高通计划2025年推出基于Oryon V3内核的骁龙X2系列。若高通实现性能跃升，两家巨头的技术竞赛将深刻影响Arm PC市场格局。此次惠普开发板的曝光，暗示主流厂商已开始布局英伟达方案，戴尔旗下Alienware或首发搭载该芯片的游戏笔记本。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕，标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后，美光也正式向核心客户发出通知，确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息，三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程，标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED"，但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视（LCD），通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布，其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份，标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计，仅在散热方案上存在差异，均配备288GB HBM3E内存，较上一代MI300X的192GB提升50%，比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技（02382.HK）近期披露2025年5月出货量数据，呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下，公司业务版图正经历深度调整。
2025年6月，AMD正式发布基于CDNA4架构的Instinct MI350系列AI加速器，包含MI350X（1000W风冷）和MI355X（1400W液冷）两款型号。该系列采用台积电N3P 3nm制程与CoWoS-S先进封装，集成1850亿晶体管，配置288GB HBM3e显存与8TB/s带宽，较上代实现4倍训练性能与35倍推理性能提升。其突破性支持FP4/FP6低精度格式，为生成式AI与大语言模型提供革命性算力支持。
