发布时间：2025-06-11 阅读量：466 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】2025年6月10日，全球领先的半导体制造商罗姆（ROHM，总部位于日本京都）宣布推出全新SPICE仿真模型“ROHM Level 3（L3）”，该模型针对碳化硅（SiC）功率MOSFET优化，显著提升了仿真收敛性和运算速度，助力工程师更高效地完成电力电子系统设计。
用户可从第4代SiC MOSFET相应产品页面的“设计模型”中下载
高精度仿真需求推动模型升级
在电力电子系统中，功率半导体的损耗直接影响整体效率，因此设计阶段的仿真精度至关重要。罗姆此前提供的SiC MOSFET SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”在复现器件特性方面表现优异，但存在仿真收敛性不足、计算时间较长等问题，影响设计效率。
L3模型：兼顾精度与速度
全新“ROHM Level 3（L3）”模型采用简化的数学公式，在保持开关波形精度和计算稳定性的同时，将仿真时间较L1模型缩短约50%。这一改进使得工程师能够更高效地进行瞬态分析，优化系统损耗评估，从而加速产品开发周期。
广泛兼容，助力设计优化
目前，罗姆已在其官网发布适用于第4代SiC MOSFET（共37款机型）的L3模型，用户可通过产品页面的“设计模型”下载。同时，罗姆仍将继续提供L1模型，以满足不同设计需求。此外，公司还发布了详细的白皮书，指导用户快速掌握新模型的使用方法。
未来展望：持续推动电力电子创新
罗姆表示，未来将继续优化仿真技术，助力客户开发更高效率、更高性能的电力电子系统，推动能源转换技术的进步。
全球领先的传感器与功率IC解决方案供应商Allegro MicroSystems（纳斯达克：ALGM）于7月31日披露截至2025年6月27日的2025财年第一季度财务报告。数据显示，公司当季实现营业收入2.03亿美元，较去年同期大幅提升22%，创下历史同期新高。业绩增长主要源于电动汽车和工业两大核心板块的强劲需求，其中电动汽车相关产品销售额同比增长31%，工业及其他领域增速高达50%。
受强劲的人工智能（AI）需求驱动，全球存储芯片市场格局在2025年第二季度迎来历史性转折。韩国SK海力士凭借在高带宽存储器（HBM）领域的领先优势，首次超越三星电子，以21.8万亿韩元的存储业务营收问鼎全球最大存储器制造商。三星同期存储业务营收为21.2万亿韩元，同比下滑3%，退居次席。
8月1日，英伟达官网更新其800V高压直流（HVDC）电源架构关键合作伙伴名录，中国氮化镓（GaN）技术领军企业英诺赛科（Innoscience）赫然在列。英诺赛科将为英伟达革命性的Kyber机架系统提供全链路氮化镓电源解决方案，成为该名单中唯一入选的中国本土供应商。此重大突破性合作直接推动英诺赛科港股股价在消息公布当日一度飙升近64%，市场反响热烈。
全球领先的功率半导体解决方案供应商MPS（Monolithic Power Systems）于7月31日正式公布截至2025年6月30日的第二季度财务报告。数据显示，公司本季度业绩表现亮眼，多项核心指标实现显著增长，并释放出持续向好的发展信号。
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