发布时间：2025-06-11 阅读量：308 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】2025年6月10日，全球领先的半导体制造商罗姆（ROHM，总部位于日本京都）宣布推出全新SPICE仿真模型“ROHM Level 3（L3）”，该模型针对碳化硅（SiC）功率MOSFET优化，显著提升了仿真收敛性和运算速度，助力工程师更高效地完成电力电子系统设计。
用户可从第4代SiC MOSFET相应产品页面的“设计模型”中下载
高精度仿真需求推动模型升级
在电力电子系统中，功率半导体的损耗直接影响整体效率，因此设计阶段的仿真精度至关重要。罗姆此前提供的SiC MOSFET SPICE模型“ROHM Level 1（L1）”在复现器件特性方面表现优异，但存在仿真收敛性不足、计算时间较长等问题，影响设计效率。
L3模型：兼顾精度与速度
全新“ROHM Level 3（L3）”模型采用简化的数学公式，在保持开关波形精度和计算稳定性的同时，将仿真时间较L1模型缩短约50%。这一改进使得工程师能够更高效地进行瞬态分析，优化系统损耗评估，从而加速产品开发周期。
广泛兼容，助力设计优化
目前，罗姆已在其官网发布适用于第4代SiC MOSFET（共37款机型）的L3模型，用户可通过产品页面的“设计模型”下载。同时，罗姆仍将继续提供L1模型，以满足不同设计需求。此外，公司还发布了详细的白皮书，指导用户快速掌握新模型的使用方法。
未来展望：持续推动电力电子创新
罗姆表示，未来将继续优化仿真技术，助力客户开发更高效率、更高性能的电力电子系统，推动能源转换技术的进步。
三星电子在冲击AI内存高地的征途上遭遇阻力。2025年6月，其12层HBM3E芯片未通过英伟达的第三次技术认证。这家科技巨头被迫调整战略，计划于9月发起第四次认证冲刺。为把握AI内存需求机遇，三星此前已提前提升HBM3E芯片产能，但此次认证延期显著推迟了其供应时间表。
据权威市场调研机构TrendForce集邦咨询发布的最新数据统计，2025年第一季度全球智能手机生产总量约为2.89亿部，较2024年第一季度同比下降约3%，显示出整体市场需求依然偏谨慎。
根据TrendForce集邦咨询最新报告，2025年第一季度全球前十大无晶圆IC设计厂商总营收达774亿美元，环比增长约6%，同比增长38%，创历史新高。产业增长主要受益于AI数据中心建设加速及终端电子产品备货提前，淡季需求逆势走强。
圣邦微电子推出的SGM880xQ系列是一款36V输入的高精度电源电压监测芯片，专为满足严苛的车规级环境要求而设计。该产品通过AEC-Q100 Grade 1认证，可在-40℃至+125℃的极端温度范围内稳定运行，适应汽车电子复杂的工作环境。产品系列包含两种型号：SGM880A-xQ配备可编程延时CD引脚，支持复位时间灵活配置；SGM880E-xQ则集成专用SENSE引脚，实现2.3V至12V电源电压的精准检测。
近日，Geekbench测试数据库首次曝光英伟达代号为“N1X”的Arm架构PC处理器。该芯片以单核3096分、多核18837分的成绩超越高通骁龙X Elite，标志着英伟达正式进军Windows on Arm PC市场，将与高通、英特尔及AMD展开正面竞争。
