英特尔在ECTC 2025展示先进封装核心突破，赋能下一代算力爆发

【导读】算力需求的爆发式增长已成为驱动AI等尖端应用普及的关键引擎。半导体产业正积极寻求突破传统芯片制造局限的路径，以持续提升性能、降低功耗。在此背景下，封装技术——曾经仅为支撑与防护环节——正跃升为行业创新的核心焦点。先进封装技术打破了单一芯片的限制，使不同厂商、不同工艺节点、不同规格、不同功能的芯粒（Chiplet）得以高效集成于单一封装体内，为构建更强大、更具能效的系统级芯片（SoC）开辟了崭新途径。

作为行业领导者，英特尔长期致力于通过多芯片集成策略，将处理器、加速器和存储器等异构单元堆叠整合至更大规模的封装结构中，为客户显著提升产品性能。在近期举办的2025年IEEE电子器件技术大会（ECTC）——这一由IEEE电子封装协会主办的、聚焦封装、器件及微电子系统科研与技术的国际顶级盛会上，英特尔集中展示了其在先进封装领域取得的多项关键进展。

英特尔将其先进封装技术的研发重点锚定于三大关键路径，以应对高集成度系统带来的挑战：

1. EMIB-T：优化电源传输与信号互连： 英特尔成熟量产的EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）技术，已成功突破传统光刻掩模版尺寸限制，实现了多芯粒间的高带宽、低延迟互连。其演进技术EMIB-T进一步集成了创新的硅通孔（TSV）设计，显著优化了供电网络的效率与稳定性。这一架构不仅为高速HBM4内存的集成提供了简洁方案，也为构建基于UCIe开放标准的高性能Chiplet生态系统奠定了坚实基础。

2. 高精度热压键合：提升大规模封装的良率与可靠性： 伴随封装体尺寸的持续增大及集成芯片数量与复杂性的几何级攀升，保证制造良品率和长期使用可靠性变得愈发关键。英特尔正在积极探索并部署具备高精度对准能力的、支持大尺寸掩模版的热压键合（TCB）先进制程。这项技术旨在通过更精确的温度与压力控制，实现芯粒与基板或中介层间更牢固、更可靠的微凸块（Microbump）互连，从而系统性降低缺陷率，提高大规模异构集成封装的产出质量。

3. 分解式散热器与新一代TIM：突破高功耗散热瓶颈： 封装复杂度和物理尺寸的增长，直接导致其热设计功耗（TDP）大幅攀升，散热压力成倍放大。为应对这一严峻挑战，英特尔正在开发革命性的“分解式散热器”技术，并同步研发新一代高性能热界面材料（TIM）。分解式散热器核心在于其分区散热机制，能够更智能、更有效地将局部热点产生的热量传导至散热器不同区域进行高效散发。配合更低热阻的先进TIM材料，可显著提升从热源到散热器整体的传热效能，保障高集成度、高功率芯片在极限负载下的稳定运行。

英特尔在ECTC 2025上披露的这些封装技术创新，清晰地描绘了其应对未来算力需求的关键技术路线图。通过持续优化互连密度、电源完整性、制造良率和散热效率，先进封装技术正从幕后支撑走向前台引领，成为释放下一代半导体系统性能潜力、满足AI时代海量计算需求的战略性支柱。