超越125°C!解锁175°C以上稳定运行的安森美耐高温方案

发布时间:2025-06-9 阅读量:60 来源: 安森美 发布人: wenwei

【导读】随着前沿技术向更高温领域进军,汽车、工业、军事及能源等行业对耐高温集成电路(IC)的需求急剧攀升。 然而,极端高温环境如同无形的枷锁,严重制约着芯片的性能表现、长期可靠性与系统安全边界。要突破这一瓶颈,必须直面高温产生的根源——从环境热负载到器件自身的功耗发热——并进行系统性优化。安森美(onsemi)的 Treo™ 平台正是为此而生,它构建了一个端到端的产品开发生态系统,专为支撑IC在严苛高温下稳定运行而设计,致力于提升器件在极端工况下的鲁棒性、延长使用寿命,同时优化整体方案的性价比。


环境温度


IC 及所有电子设备的一个关键参数是其能够可靠工作的温度范围。具体的工作温度范围是根据其应用和行业来定义的(图 1a)。


13.png

图 1. 不同应用的温度范围及温度曲线示例


例如,对于汽车 IC 而言,温度范围取决于电子元件的安装位置。如果位于乘员舱内,温度范围最高可达 85°C。如果位于底盘或发动机舱内,但不直接位于发动机上,则温度范围最高可达 125°C。靠近或直接位于发动机或变速箱附近,温度范围可达 150°C 或 160°C。在靠近刹车或液压系统的底盘区域,温度最高可达 175℃。这些对高温的要求适用于内燃机汽车,同时也适用于混动和全电动汽车。


当汽车发动机运行时,主动冷却系统会有效控制温度。然而,在最极端的情况下,如车辆行驶后停放在酷热环境中,此时主动冷却系统停止工作,发动机及其它部件的热量逐渐扩散,导致电子设备温度上升。即便如此,当汽车再次启动时,所有系统仍需在温度升高的条件下保持正常工作。


对于适中的温度条件,可以定义 IC 在静态工作温度下的预期使用寿命。例如,在 125°C 的条件下可以连续工作 10 年。然而,对于像 175°C 这样的高温,使用 bulk CMOS 工艺实际上是不能实现的。通常,IC 不需要在其整个生命周期内都以最高温度运行。在汽车行业,常采用热曲线图来替代固定的静态温度规范,将整个使用寿命划分为不同的工作模式和温度区间(段),只有一小部分时间需要在极高温度下工作(图 1b)。


将电子元件布置在更靠近应用的高温区域,通过减少噪音和干扰可以提高传感器的精度和分辨率。对于大功率应用,尽量减少大电流开关回路可减少干扰。采用局部闭环控制系统可减轻重量并提高性能。然而,缩小模块尺寸会因功率密度提高和散热问题而增加电子元件的温度。


结温


IC 工作时会有功耗,导致 IC 内部的实际半导体结温高于环境温度。温度的升高取决于 IC 内部耗散的功率以及裸片与环境之间的热阻。这种热阻取决于封装类型、PCB、散热片等(见图 2)。


14.png

图 2. 结温升高


对于功率开关、功率驱动器、DC-DC 转换器、具有高压降的线性稳压器(例如,在使用 DC-DC 转换器不经济的情况下,用于汽车电池驱动模块)或传感器执行器来说,裸片高功耗是不可避免的。


热阻取决于封装类型和热管理方式(图 3)。对于常用的小型封装,结到外部环境的热阻大约为 50-90K/W(SOIC 封装),以及大约 30-60K/W(QFP 封装)。在某些应用中,结至环境的热阻可达每瓦数百开尔文。


15.png

图3. 不同封装类型IC散热示例


结温在 IC 的整个裸片上并不是均匀一致的。可能存在如功率驱动器等高功耗区。具有高功率驱动器的 IC 裸片温度图示例见图 4。


16.png

图 4. IC热分布图示例


综上所述,IC内部的热分布绝非均匀,高功耗区域(如功率驱动器)会形成显著的热点,成为影响整体可靠性的关键瓶颈(如图4所示)。因此,应对高温挑战不仅关乎材料选型与工艺设计,更需要系统级的散热优化和精准的热管理策略。安森美Treo™平台集成了先进的芯片设计、封装技术与热建模能力,为开发者提供了一套完整的工具链和已验证的解决方案,确保您的产品即使在最严苛的温度曲线(如图1b所示)与空间热梯度(如图4所示)下,也能实现预期的性能、寿命与安全性目标。


相关资讯
开放协议革命:一根双绞线驱动千颗LED的底层逻辑

随着汽车智能化浪潮的推进,车内氛围灯已从简单的装饰功能升级为智能座舱体验的核心要素。消费者对座舱的交互性、个性化和情感化需求日益增长,推动照明系统向动态化、高集成化方向革新。据QYResearch报告显示,预计2030年全球汽车氛围灯市场规模将达到46.16亿美元,单车LED的数量可达上百甚至上千颗。由此可见,在硬件配置趋同的竞争困局下,内饰材质与车机系统的差异化空间持续收窄,而具备情感唤醒能力的氛围灯光系统已经成为品牌竞争的新赛道。

高效电池充电系统设计:拓扑选择与安森美功率半导体解决方案​

随着电池技术的飞速发展,现代设备对充电效率、功率密度和可靠性的需求日益增长。从电动工具到工业搬运设备,再到电动汽车,快速、高效的充电系统已成为提升用户体验和生产力不可或缺的关键。然而,设计高性能的电池充电解决方案需要综合考虑功率拓扑、半导体器件选择以及系统优化。本文将探讨电池充电系统的设计标准,分析主流拓扑结构,并介绍安森美(onsemi)先进的功率半导体技术如何助力实现更高效、更紧凑的充电方案。

电源测试中导线布局对瞬态响应的量化影响——基于ADP2386评估板的7%性能提升案例

在电源系统开发中,实验室测试数据的准确性直接影响产品性能评估。工程师们往往聚焦于拓扑结构优化与元件选型,却容易忽视一个隐藏的误差源——测试导线的物理布局。当我们使用ADP2386评估板进行负载瞬态测试时,发现仅改变电源与负载间的导线排布方式,竟使输出电压尖峰出现7%的显著差异。这种由测试线缆寄生参数引入的"隐形误差",正在悄然影响着您的测试结论可信度。

振荡电路不起振原因分析

在硬件调试中,许多工程师在测量晶振时发现两端都有电压,例如1.6V,但没有明显的压差,第一反应可能是怀疑短路。

CMOS有源晶振电压详解

在电子设备中,CMOS有源晶振作为核心时钟源,其供电电压与输出特性直接影响系统稳定性。然而,高频方波信号的测量常因工具选择不当而产生误差:传统万用表的交流档基于正弦波有效值校准,测量方波时误差可达40%以上,而示波器通过直接捕获峰峰值(Vpp)和频域特性,可精准反映晶振的幅值、占空比及起振状态。本文将从有源晶振的电压特性(如YSO110TR系列兼容1.8-3.3V宽压供电)切入,解析万用表直流档的半压测量原理(3.3V供电时显示约1.65V),并对比示波器在探测CMOS方波时的关键技术参数(如探头衰减档位选择与接地优化),为工程师提供兼具理论基础与实践价值的测量方案参考。