发布时间：2025-06-5 阅读量：747 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】2025年第一季度，全球DRAM市场格局迎来重大变化。据TrendForce和Counterpoint Research最新报告显示，SK海力士凭借高带宽存储器（HBM）的技术优势，首次超越三星电子，以36%的市场份额位居行业榜首。三星电子以33.7%的份额退居第二，美光则以24.3%的份额排名第三。
市场格局逆转，SK海力士首次登顶
2024年第一季度，三星电子仍以43.9%的市场份额占据主导地位，而SK海力士仅为31.1%。然而，短短一年内，SK海力士的市场份额稳步提升，并在2025年第一季度实现反超。TrendForce分析指出，这一变化主要得益于SK海力士HBM3E产品的强劲需求，而三星电子因HBM3E出货受限，市场份额大幅下滑。
HBM技术成竞争核心，SK海力士占据先机
HBM（高带宽存储器）是AI服务器和高端GPU的关键组件，市场需求持续增长。SK海力士作为英伟达HBM3E的独家供应商，在技术研发和产能布局上占据优势。今年3月，该公司已提前向客户提供下一代HBM4（第六代）12层产品的样品，进一步巩固领先地位。相比之下，三星电子的HBM3E认证进程延迟，导致其在高端市场竞争力下降。
三星调整战略，全力冲刺HBM4
面对市场失利，三星电子迅速调整策略，减少旧款HBM2E的产量，集中资源开发HBM4。该公司表示，已重新设计10纳米级DRAM芯片，优化良率和稳定性，以适配HBM4需求。此外，三星已完成改进版HBM3E的样品供应，预计第二季度起销量将逐步回升，并计划在下半年量产HBM4，以夺回市场主导权。
DRAM市场短期承压，第二季度或迎复苏
尽管SK海力士表现亮眼，但全球DRAM市场第一季度总销售额仍环比下降5.5%，至270.1亿美元。TrendForce认为，这一下滑主要受DRAM合约价格走低及HBM出货量减少影响。不过，随着PC和智能手机厂商在第二季度加大备货，DRAM需求有望回暖，行业增长势头将逐步恢复。
据供应链消息，英伟达计划在今年第四季度推出专为中国市场设计的新一代AI芯片B30，以应对美国出口管制政策的影响。该芯片将采用GDDR7显存替代HBM（高带宽内存），预计AI性能较H20下降10%-20%，但价格将降低30%-40%。此举旨在填补H20受限后英伟达在中国市场的供应缺口，并维持其竞争优势。
当地时间7月21日，欧洲汽车芯片巨头恩智浦半导体（NXP Semiconductors）公布了2025年第二季度（截至6月29日）财报。数据显示，公司营收同比下滑6%至29.26亿美元，但环比增长3%，略高于市场预期的29亿美元。Non-GAAP每股收益为2.72美元，同比下降15%，但仍超出分析师预期的2.66美元。
在工业自动化和新能源汽车快速发展的浪潮中，电子系统对功率器件的空间利用率和热管理性能提出了前所未有的严苛要求。Nexperia准确把握市场需求脉搏，正式推出采用创新铜夹片封装技术的MJPE系列双极性晶体管。这12款突破性产品标志着高功率密度与强健可靠性的完美融合，为工程师提供前所未有的设计自由度。
据最新市场消息与厂商证实，美国商务部在人工智能（AI）高性能芯片对华出口管制政策上进行了审慎调整。芯片巨头英伟达（NVIDIA）与超威半导体（AMD）均已获得美方新的授权许可，允许其向中国大陆市场恢复特定型号AI芯片的销售，其中包括英伟达专为中国市场设计的H20芯片以及AMD的部分产品线（如被广泛关注的MI 308系列）。
近日，台积电位于嘉义科学园区的CoWoS先进封测厂再度发生安全事故，引发业界关注。据台媒报道，7月20日，该厂区内一辆载重约50吨的施工板车突然翻车，所幸未造成人员伤亡。然而，这已是该工地近两个月内发生的第四起重大安全事故，累计已导致2人死亡、2人重伤。
