发布时间:2025-06-3 阅读量:423 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】日本罗姆半导体(ROHM)于2025年6月推出革命性100V耐压功率MOSFET RY7P250BM。该器件采用8×8mm DFN8080封装,专为48V AI服务器热插拔电路及工业设备电池保护系统设计。通过突破性技术实现1.86mΩ超低导通电阻与行业最宽安全工作区(SOA),成为高密度电源系统的核心解决方案。
产品核心优势
1. 能效突破:导通电阻较行业标准降低18%(1.86mΩ vs 2.28mΩ),同等工况下减少340W功率损耗
2. 安全升级:支持10ms/16A、1ms/50A浪涌电流承载能力,抗短路能力提升3倍
3. 热管理优化:封装热阻降低至0.5℃/W,芯片结温波动范围缩小40%
4. 兼容设计:引脚兼容主流DFN8080封装,替换周期缩短至72小时
竞品性能对比
突破性技术难题
1. SOA与导通电阻矛盾化解:采用新型沟槽栅极结构,在8×8mm空间内实现电流密度提升220%
2. 热插拔瞬态响应优化:集成自适应栅极驱动技术,浪涌电流抑制速度达15μs(较传统方案快3倍)
3. 热崩溃预防机制:内置温度反馈网络,过热关断响应时间缩短至50μs
典型应用案例
● 某北美云服务商AI集群:在48V GPU供电模块中替换传统MOSFET,单机柜年省电费$8,600
● AGV电池管理系统:某物流企业500台叉车电池组故障率下降67%
● 边缘数据中心:东京某模块化数据中心PUE值从1.25降至1.18
应用场景拓展
市场前景分析
据TechInsights预测,2025-2030年全球48V电源市场将保持29.7%复合增长率:
1. AI服务器需求爆发:单台AI服务器MOSFET用量达48颗,市场规模超$17亿
2. 工业4.0升级窗口:工业设备功率器件替换潮将释放$6.3亿需求
3. 东南亚制造中心崛起:ROHM泰国工厂产能可覆盖亚太区82%客户需求
4. 技术替代空间:传统12V系统转换至48V架构,将创造$40亿器件升级市场
结语
RY7P250BM的推出标志着功率半导体进入"高鲁棒性、超低损耗"的新纪元。该器件不仅解决了AI服务器电源的可靠性瓶颈,更通过8×8mm封装内的技术创新,为工业4.0设备提供了可量产的能效解决方案。随着ROHM滋贺工厂月产百万片的产能释放,48V电源系统的普及进程将加速推进,为全球ICT基础设施的可持续发展树立新的技术标杆。
近日,中国证监会官网披露,国产高端GPU芯片厂商瀚博半导体(上海)股份有限公司(以下简称“瀚博半导体”)已正式启动上市辅导,由中信证券担任辅导机构。若顺利上市,瀚博半导体将成为继摩尔线程、沐曦股份之后,又一家冲击科创板的国产GPU企业。
据供应链消息,英伟达计划在今年第四季度推出专为中国市场设计的新一代AI芯片B30,以应对美国出口管制政策的影响。该芯片将采用GDDR7显存替代HBM(高带宽内存),预计AI性能较H20下降10%-20%,但价格将降低30%-40%。此举旨在填补H20受限后英伟达在中国市场的供应缺口,并维持其竞争优势。
当地时间7月21日,欧洲汽车芯片巨头恩智浦半导体(NXP Semiconductors)公布了2025年第二季度(截至6月29日)财报。数据显示,公司营收同比下滑6%至29.26亿美元,但环比增长3%,略高于市场预期的29亿美元。Non-GAAP每股收益为2.72美元,同比下降15%,但仍超出分析师预期的2.66美元。
在工业自动化和新能源汽车快速发展的浪潮中,电子系统对功率器件的空间利用率和热管理性能提出了前所未有的严苛要求。Nexperia准确把握市场需求脉搏,正式推出采用创新铜夹片封装技术的MJPE系列双极性晶体管。这12款突破性产品标志着高功率密度与强健可靠性的完美融合,为工程师提供前所未有的设计自由度。
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