发布时间:2025-06-3 阅读量:259 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】全球半导体龙头台积电(TSMC)美国亚利桑那州晶圆厂产能近期呈现“未建先满”状态。据供应链消息,苹果、英伟达、AMD、高通、博通五大科技巨头已提前包下三座新厂的全部产能,其中苹果作为首发客户独占头筹,计划2025年量产数千万颗4nm芯片;英伟达AI芯片(如Blackwell系列)将于年底完成制程验证并启动“美国制造”。
地缘政治驱动产能迁移,美厂良率超预期成关键
在特朗普政府“芯片法案”与关税政策推动下,美国客户对“异地备援”需求激增。台积电美国厂凭借超预期良率表现(部分制程良率甚至高于台湾厂4%)赢得客户信任。目前第一厂(4nm)已投产,第二厂(3nm)完成厂房建设,第三厂(2nm)提前动工,后续三座扩建厂产能也被预订一空。
技术升级与成本博弈:2nm争夺战白热化
● 制程布局:美国厂2025年量产4nm/3nm芯片,2028年导入2nm制程,计划将30%的2nm以下产能分配至美国。
● 价格策略:美厂芯片报价较台湾高30%,主因本土供应链成本上升及关税压力,但客户为保障供应链安全仍接受溢价。
● 封装瓶颈:尽管前段制造转移至美国,先进封装(如CoWoS-L)仍依赖台湾厂区,成为“美国制造”完整落地的关键挑战。
千亿美元加码投资,全球产能重构加速
台积电宣布追加1,000亿美元在美投资,累计金额达1,650亿美元,用于建设6座晶圆厂+2座先进封装厂+研发中心。预计2028年海外产能占比将升至20%,2030年台湾与美国2nm产能比例达7:3。同步推进日本熊本厂(22nm/12nm)及德国德累斯顿厂(16nm/28nm),形成全球多点制造网络。
营收动能强劲,AI驱动结构性增长
台积电CEO魏哲家于股东大会宣布,2025年美元营收增速预计达“20%区间中段”,先进制程(7nm以下)销售占比将突破70%。五大客户订单全面到位,叠加AI芯片需求爆发(2025年AI相关晶圆出货量为2021年的12倍),推动台积电进入新一轮增长周期。
株式会社村田制作所(Murata)最新推出的NXJ1T系列高绝缘小型DC-DC转换器,专为工业、能源和医疗领域设计,具备4.2kV DC高绝缘耐压、低漏电流及卓越的可靠性。该产品采用先进的封装技术,在严苛环境下仍能保持稳定运行,适用于电动汽车(EV)充电系统、可再生能源设备、医疗电子等高要求场景。NXJ1T系列凭借小型化设计(10.55mm × 13.70mm × 4.04mm)和约80%的高转换效率,为设备节省空间并优化能耗表现。核心特性包括:
2025年6月3日,博通(Broadcom)正式发布Tomahawk 6交换机系列,标志着以太网交换技术迈入全新阶段。该产品是全球首款单芯片提供102.4Tbps交换容量的解决方案,带宽达到现有市场产品的两倍,专为下一代AI网络设计,支持超大规模集群部署。
圣邦微电子(SG Micro)推出的SGM8433-2Q是一款高压、低失真、轨到轨输入输出的双通道运算放大器,专为高精度、高驱动能力的应用场景设计。该器件支持4.5V至24V宽电源供电,具备12MHz增益带宽积(GBW)和35V/μs高压摆率,同时提供高达360mA(源电流)和400mA(灌电流)的强大驱动能力,适用于旋转变压器励磁驱动、电机控制、伺服系统等高要求场景。
2025年第一季度,全球DRAM市场格局迎来重大变化。据TrendForce和Counterpoint Research最新报告显示,SK海力士凭借高带宽存储器(HBM)的技术优势,首次超越三星电子,以36%的市场份额位居行业榜首。三星电子以33.7%的份额退居第二,美光则以24.3%的份额排名第三。
2025年6月5日,威世科技(Vishay Intertechnology, Inc.,NYSE: VSH)宣布推出三款新型隔离放大器——VIA0050DD、VIA0250DD和VIA2000SD,专为工业、汽车和医疗等高精度、高可靠性应用设计。该系列产品具备卓越的热稳定性、高共模瞬态抗扰度(CMTI)和低增益误差,适用于恶劣环境下的精密电流和电压测量。