全球DRAM市场格局生变，DDR4价格持续飙升

【导读】近期，全球DRAM市场显现显著波动，核心存储芯片价格呈现强劲上涨趋势。行业监测数据显示，今年5月，主流DRAM和NAND闪存芯片的平均销售价格（ASP）均录得环比增长。其中，8GB DDR4内存芯片的现货价格尤为引人注目，达到约2.10美元，较4月份的1.65美元大幅跃升27%。回溯至今年3月，该型号芯片价格尚在1.37美元左右徘徊。这意味着DDR4芯片价格已实现连续两个月的显著攀升，累计涨幅远超20%。

多重因素驱动价格上扬

此番DDR4价格的急速上涨，被市场普遍认为由多重因素共同驱动。首要因素是美国近期推出的贸易政策措施。相关措施虽宣布给予90天的宽限期暂缓执行，但其潜在的加征关税风险已引发全球供应链的高度关注和快速反应。为避免未来成本陡增，众多下游终端制造商及渠道商选择提前备货，积极囤积DRAM芯片，尤其是价格相对更具优势的DDR4产品。这类芯片广泛应用于对成本高度敏感的消费类电子产品中，其价格弹性较低，难以在短期内消化或转嫁突增的关税成本，进一步加剧了抢购行为。

上游原厂战略调整加剧供应紧张

更深层次的结构性变化则来自上游存储原厂的产能策略调整。全球领先的DRAM供应商，包括三星电子、SK海力士和美光科技，均已明确将资源重心转向技术更先进、性能更优的DDR5产品。为此，它们正逐步削减传统DDR4产品的产能投入，并制定了最终退出DDR4生产的路线图。与此同时，中国主要的存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）也传出重要动态。据业内可靠消息，长鑫存储预计将于2024年第三季度正式发布DDR4产品的生命周期终止（EOL）通知，并计划最迟在2026年上半年全面停止DDR4芯片的供货。未来，长鑫存储将不再推进标准DDR4产品的迭代开发，仅保留部分专用产线，为战略合作伙伴（如兆易创新）提供定制化的代工服务，以满足特定细分市场的基础需求。

供需失衡推升价格，DDR5转型加速

显而易见，头部原厂集体性的DDR4减产乃至停产规划，直接造成了市场有效供给的收缩。而下游因规避贸易风险而产生的集中囤货需求，则在中短期内显著放大了采购规模。这种供需两端的剧烈变化——供给端的主动缩减与需求端的被动前置——共同导致了DDR4芯片市场的供不应求格局，成为此轮价格持续上涨的核心推手。这一轮由政策预期叠加产业升级共同驱动的价格风暴，预示着DDR4作为主流内存标准的时代正加速走向终结，DDR5技术普及和产能爬坡的进程将进一步加快。市场参与者需密切关注后续政策落地情况及主要厂商的产能转换进度，以应对持续波动的市场环境。