瑞萨电子放弃碳化硅功率半导体计划,行业面临严峻挑战

发布时间:2025-05-30 阅读量:2802 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】近期,日本半导体巨头瑞萨电子宣布放弃使用碳化硅(SiC)生产功率半导体的计划,并解散了位于群马县高崎工厂的SiC芯片生产团队。该公司原计划于2025年初投产,但由于电动汽车市场需求下滑、中国芯片制造商产能扩张以及行业竞争加剧,瑞萨电子认为该业务难以实现盈利。


15.jpg


市场环境恶化,SiC芯片增长不及预期


碳化硅(SiC)功率半导体因其高效率、耐高温等特性,被广泛应用于电动汽车、可再生能源及工业设备等领域。然而,2024年SiC市场的增长远低于预期。根据东京研究公司富士经济(Fuji Keizai)的数据,2024年SiC市场规模仅增长18%,达到3910亿日元(约26.9亿美元),远低于此前预测的27%增长至4915亿日元。


市场增速放缓的主要原因包括:


1. 欧洲电动汽车补贴退坡,导致该地区电动汽车销量增长放缓;

2. 中国SiC芯片产能大幅提升,加剧市场竞争,并导致价格下跌;

3. 中国车企转向国产芯片,减少对进口SiC器件的依赖。


行业巨头纷纷受挫,SiC市场前景承压


瑞萨电子并非唯一面临困境的企业。日本罗姆公司(ROHM)因加大对SiC半导体的投资,2024财年出现12年来首次净亏损;瑞士芯片制造商意法半导体(STMicroelectronics)的股价自2024年以来暴跌超50%;美国SiC芯片制造商Wolfspeed也因财务压力,正考虑申请破产保护。


尽管长期来看,SiC半导体在电动汽车和能源领域的需求仍将增长,但短期内市场调整和产能过剩问题使得行业竞争加剧。瑞萨电子的退出,可能进一步影响全球SiC供应链格局,促使企业重新评估投资策略。


未来展望:技术升级与市场整合


面对挑战,SiC半导体行业可能进入整合阶段,部分企业或通过技术升级、降低成本或寻求战略合作来应对市场变化。与此同时,中国厂商的崛起可能重塑全球SiC供应链,推动行业向更具成本竞争力的方向发展。


相关资讯
英伟达携Arm架构AI芯片进军PC市场,游戏本市场或迎技术革命

据The Verge等多家权威媒体报道,英伟达(NVIDIA)正联合联发科开发基于Arm架构的AI PC处理器,预计2025年底至2026年初正式推出。该芯片将整合Arm CPU核心与新一代Blackwell GPU架构,首款搭载设备已确认由戴尔旗下高端电竞品牌Alienware首发,目标直指高性能游戏本市场。

纳芯微NSD2622N:专为高压GaN而生的高集成驱动芯片,破解系统设计难题

纳芯微电子最新推出的NSD2622N是一款针对增强型氮化镓(E-mode GaN)功率器件优化的高压半桥驱动芯片。该芯片通过创新性地集成正负压稳压电路(可调5V-6.5V正压与固定-2.5V负压)与高可靠性电容隔离技术,完美解决了GaN器件在高压大功率场景下易受串扰误导通、驱动电路设计复杂等核心痛点。其支持自举供电、超强200V/ns dv/dt抗扰能力以及2A/-4A峰值驱动电流,显著简化了系统设计,提升了电源效率和可靠性,为人工智能数据中心电源、光伏微型逆变器、车载充电机等高增长领域提供了极具竞争力的驱动解决方案。

光伏组件旁路保护的技术革新:华润微TMBS 180mil G2深度解析

在“双碳”目标驱动下,光伏组件功率持续提升(2025年主流组件功率突破700W),对旁路二极管的性能要求显著提高。华润微电子功率器件事业群(PDBG)基于肖特基二极管领域的技术积累,推出第二代180mil TMBS(Trench MOS Barrier Schottky)器件。该产品通过优化正向压降(VF)、反向漏电流(IR) 及高温工作特性,解决了高功率组件在热斑效应、高温环境下的可靠性痛点,目前已向天合、晶澳、晶科等头部光伏企业批量供货。

移动AI大洗牌:三星联手Perplexity剑指谷歌霸主地位

全球智能手机巨头三星电子正积极推动其人工智能服务多元化战略。权威消息显示,该公司已进入与美国AI搜索新锐Perplexity深度合作的最终谈判阶段,计划在明年初发布的Galaxy S26系列中整合其尖端技术。此举标志着消费电子行业头部玩家正加速构建独立于传统搜索引擎巨头的AI生态体系。

2025年Q1全球DRAM市场深度解析:技术迭代引发厂商格局重构

据TrendForce集邦咨询统计,2025年第一季度全球DRAM产业营收达270.1亿美元,较上季度缩减5.5%。此轮下滑主要受两大因素驱动:一是标准型DRAM合约价持续走低,二是高带宽内存(HBM)出货规模阶段性收缩。市场进入技术转换关键期,三大原厂制程升级导致产能结构性调整,为二线厂商创造了新的市场机遇。