发布时间：2025-05-30 阅读量：874 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】5月29日，全球半导体封测龙头日月光半导体（ASE）宣布推出具备硅通孔（TSV）的扇出型基板上芯片桥接技术（FOCoS-Bridge），旨在提升AI与高性能计算（HPC）芯片的互连密度、能效及散热性能。该技术通过TSV缩短信号传输路径，优化电源完整性，并支持更高速的数据传输，以满足AI、HPC及小芯片（Chiplet）集成需求。
核心优势：高密度互连与能效提升
FOCoS-Bridge TSV技术的关键突破在于：
1. 更高I/O密度：TSV桥接芯片提供垂直电力传输路径，相比传统横向互连，电阻降低72%，电感减少50%。
2. 增强散热能力：适用于高功率AI芯片，如GPU、ASIC及HBM3内存集成。
3. 异构集成支持：可嵌入被动元件（如去耦电容）及主动芯片（如I/O控制器），优化电源管理与信号完整性。
应用场景：AI、HPC及Chiplet趋势
随着AI算力需求激增，传统封装技术面临带宽瓶颈。日月光FOCoS-Bridge TSV已成功应用于85mm x 85mm测试载具，横向互连ASIC与四颗HBM3芯片，并整合10个被动元件，为下一代AI服务器、自动驾驶及数据中心提供高能效解决方案。
行业影响与未来展望
日月光执行副总Yin Chang指出，该技术将推动智慧制造、自动驾驶、精准医疗等领域的AI落地。VIPack平台的持续扩展，标志着日月光在先进封装领域的领导地位，未来有望进一步优化3D IC集成，满足更复杂的HPC需求。
据The Verge等多家权威媒体报道，英伟达（NVIDIA）正联合联发科开发基于Arm架构的AI PC处理器，预计2025年底至2026年初正式推出。该芯片将整合Arm CPU核心与新一代Blackwell GPU架构，首款搭载设备已确认由戴尔旗下高端电竞品牌Alienware首发，目标直指高性能游戏本市场。
纳芯微电子最新推出的NSD2622N是一款针对增强型氮化镓（E-mode GaN）功率器件优化的高压半桥驱动芯片。该芯片通过创新性地集成正负压稳压电路（可调5V-6.5V正压与固定-2.5V负压）与高可靠性电容隔离技术，完美解决了GaN器件在高压大功率场景下易受串扰误导通、驱动电路设计复杂等核心痛点。其支持自举供电、超强200V/ns dv/dt抗扰能力以及2A/-4A峰值驱动电流，显著简化了系统设计，提升了电源效率和可靠性，为人工智能数据中心电源、光伏微型逆变器、车载充电机等高增长领域提供了极具竞争力的驱动解决方案。
在“双碳”目标驱动下，光伏组件功率持续提升（2025年主流组件功率突破700W），对旁路二极管的性能要求显著提高。华润微电子功率器件事业群（PDBG）基于肖特基二极管领域的技术积累，推出第二代180mil TMBS（Trench MOS Barrier Schottky）器件。该产品通过优化正向压降（VF）、反向漏电流（IR） 及高温工作特性，解决了高功率组件在热斑效应、高温环境下的可靠性痛点，目前已向天合、晶澳、晶科等头部光伏企业批量供货。
全球智能手机巨头三星电子正积极推动其人工智能服务多元化战略。权威消息显示，该公司已进入与美国AI搜索新锐Perplexity深度合作的最终谈判阶段，计划在明年初发布的Galaxy S26系列中整合其尖端技术。此举标志着消费电子行业头部玩家正加速构建独立于传统搜索引擎巨头的AI生态体系。
据TrendForce集邦咨询统计，2025年第一季度全球DRAM产业营收达270.1亿美元，较上季度缩减5.5%。此轮下滑主要受两大因素驱动：一是标准型DRAM合约价持续走低，二是高带宽内存（HBM）出货规模阶段性收缩。市场进入技术转换关键期，三大原厂制程升级导致产能结构性调整，为二线厂商创造了新的市场机遇。
