发布时间:2025-05-29 阅读量:734 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】2025年5月29日,威世科技(Vishay Intertechnology, Inc.,NYSE: VSH)宣布推出新款80V TrenchFET® Gen IV N沟道功率MOSFET——SiEH4800EW。该器件采用无引线键合(BWL)封装,具备业内领先的导通电阻和热性能,适用于工业应用,可显著提升系统效率。
产品概述
SiEH4800EW是一款80V N沟道功率MOSFET,采用威世科技第四代TrenchFET®技术,结合无引线键合(BWL)封装,优化了功率密度和热管理。其关键特性包括:
● 超低导通电阻(RDS(on)):10V驱动下典型值仅0.88mΩ,降低传导损耗。
● 卓越热性能:结壳热阻(RthJC)低至0.36℃/W,提升散热能力。
● 紧凑封装:8mm×8mm尺寸,厚度仅1mm,相比传统TO-263封装节省50% PCB面积。
● 增强焊接可靠性:融合焊盘设计使源极可焊面积达3.35mm²,降低电流密度和电迁移风险。
产品优势
1. 高效率:超低RDS(on)减少功率损耗,适用于高电流应用。
2. 优异散热:优化的热阻设计提高高温环境下的可靠性。
3. 节省空间:薄型封装适用于空间受限的设计,如便携式设备和紧凑型电源模块。
4. 高可靠性:100% Rg和UIS测试,符合RoHS标准且无卤素。
5. 易焊接性:侧翼焊盘设计增强可焊性,便于目视检查焊点质量。
竞争产品对比
(*表示行业领先水平)
解决的技术难题
1. 降低导通损耗:通过优化TrenchFET® Gen IV工艺,SiEH4800EW的RDS(on)比竞品低15%,减少能量损耗。
2. 改善热管理:RthJC降低18%,增强高温环境下的稳定性。
3. 提升焊接可靠性:融合焊盘设计减少PCB电流密度,降低电迁移风险。
4. 优化封装尺寸:薄型设计满足高密度PCB布局需求,适用于小型化设备。
应用案例
● 电机驱动控制器:提高能效,降低温升。
● 电动工具:增强电池续航,减少发热。
● 焊接设备 & 等离子切割机:优化高功率开关性能。
● 电池管理系统(BMS):提升充放电效率。
● 机器人 & 3D打印机:支持高精度运动控制。
市场前景分析
随着工业自动化、新能源和智能制造的快速发展,高效功率MOSFET需求持续增长。SiEH4800EW凭借其高功率密度、低损耗和紧凑封装,有望在以下市场占据优势:
● 工业电源:适用于高能效转换系统。
● 电动汽车 & 储能:优化BMS和充电模块。
● 消费电子:满足轻薄化设计需求。
威世科技预计该产品将在2025-2030年保持强劲增长,尤其在亚太地区(如中国)的工业市场。
结语
威世科技SiEH4800EW MOSFET凭借其高效率、低热阻和小型化设计,为工业应用提供了更优的功率解决方案。该产品不仅提升了系统性能,还降低了设计复杂度,有望成为高功率密度应用的首选器件。
解冻的实质,实则是精妙设计的“特供”路径。
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