发布时间:2025-05-29 阅读量:620 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】在2026财年第一财季财报电话会议上,英伟达CEO黄仁勋透露,公司正积极推动美国本土AI芯片制造生态建设。台积电位于亚利桑那州的晶圆厂已进入制程验证阶段,预计2024年底开始量产英伟达芯片。这一进展标志着美国半导体供应链本土化迈出关键一步。
台积电亚利桑那厂助力英伟达芯片生产
台积电亚利桑那州工厂(Fab 21)目前正在进行制程验证(process qualification),以确保芯片制造的良率和性能符合标准。该工厂采用先进制程技术,将为英伟达提供高性能计算(HPC)和AI芯片代工服务。黄仁勋强调,美国本土生产将缩短供应链周期,提升产品交付效率。
封装与测试环节同步落地
除台积电外,日月光控股和安靠(Amkor)也在亚利桑那州投资建设封装、测试和组装工厂,以完善芯片制造的后端环节。这一布局将减少对海外供应链的依赖,提高整体生产效率。
鸿海、纬创合作建设AI超级计算中心
英伟达还与鸿海合作,在休斯敦建造一座占地100万平方英尺的AI超级计算中心,用于生产GB200 NVL72等大型AI服务器。此外,纬创在德克萨斯州沃思堡的工厂也将支持英伟达的AI硬件制造。
长期采购承诺推动美国AI制造生态
黄仁勋表示,英伟达已承诺长期采购美国本土生产的芯片和服务器组件,以支持合作伙伴的投资。这一战略不仅强化了供应链韧性,也推动了美国在AI基础设施领域的竞争力。
GB200 NVL72:全球最大规模AI超级计算机
英伟达的GB200 NVL72机柜整合了120万个零部件,单机柜重量接近2吨,是目前全球最复杂的AI超级计算机之一。黄仁勋强调,美国本土生产此类高复杂度设备具有里程碑意义。
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纳芯微电子最新推出的NSD2622N是一款针对增强型氮化镓(E-mode GaN)功率器件优化的高压半桥驱动芯片。该芯片通过创新性地集成正负压稳压电路(可调5V-6.5V正压与固定-2.5V负压)与高可靠性电容隔离技术,完美解决了GaN器件在高压大功率场景下易受串扰误导通、驱动电路设计复杂等核心痛点。其支持自举供电、超强200V/ns dv/dt抗扰能力以及2A/-4A峰值驱动电流,显著简化了系统设计,提升了电源效率和可靠性,为人工智能数据中心电源、光伏微型逆变器、车载充电机等高增长领域提供了极具竞争力的驱动解决方案。
在“双碳”目标驱动下,光伏组件功率持续提升(2025年主流组件功率突破700W),对旁路二极管的性能要求显著提高。华润微电子功率器件事业群(PDBG)基于肖特基二极管领域的技术积累,推出第二代180mil TMBS(Trench MOS Barrier Schottky)器件。该产品通过优化正向压降(VF)、反向漏电流(IR) 及高温工作特性,解决了高功率组件在热斑效应、高温环境下的可靠性痛点,目前已向天合、晶澳、晶科等头部光伏企业批量供货。
全球智能手机巨头三星电子正积极推动其人工智能服务多元化战略。权威消息显示,该公司已进入与美国AI搜索新锐Perplexity深度合作的最终谈判阶段,计划在明年初发布的Galaxy S26系列中整合其尖端技术。此举标志着消费电子行业头部玩家正加速构建独立于传统搜索引擎巨头的AI生态体系。
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