发布时间：2025-05-22 阅读量：338 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】半导体存储技术领域迎来重大突破。2025年5月22日，韩国半导体龙头企业SK海力士正式发布全球首款搭载321层1Tb TLC 4D NAND闪存的UFS 4.1移动存储解决方案。该创新产品的核心突破在于通过业界最高层数堆叠技术，实现了存储密度与能效比的双重跃升，标志着移动端存储器正式迈入超薄化与AI适配的新纪元。
技术参数层面，新品采用独创的4D堆叠架构，相较前代238层产品，存储单元垂直密度提升35%，单位面积数据容量达1Tb。得益于架构优化与工艺革新，其能效指标提升7%，产品厚度缩减15%至0.85mm，可适配厚度低于6.5mm的折叠屏设备。性能方面，顺序读写速度突破4300MB/s阈值，随机读写性能分别实现15%与40%的迭代提升，显著优化了多任务并发场景下的数据吞吐效率。
SK海力士开发总管安炫社长在技术说明会上强调："端侧AI对存储子系统提出双重挑战——既要满足大模型实时推理的高带宽需求，又必须控制在移动平台的功耗预算内。我们通过动态电压频率调节（DVFS）技术与智能缓存算法，使该产品AI工作负载下的功耗波动率降低22%。"这项创新直接回应了IDC《2025移动AI白皮书》提出的"每瓦算力存储带宽不足"行业痛点。
市场布局方面，该解决方案提供512GB/1TB两种容量规格，计划于本年度第三季度完成客户验证，2026年Q1进入量产阶段。配合产品路线图，企业同步启动321层NAND技术在消费级SSD与数据中心级存储阵列的研发，预计年内形成完整AI存储产品矩阵，强化"全栈AI存储供应商"战略定位。
行业分析师指出，此次技术突破将重构移动设备设计范式。超薄化封装允许厂商增加电池容量或引入新型散热方案，而存储性能的提升将推动端侧AI应用从影像处理向实时语音交互、多模态感知等复杂场景延伸。据ABI Research预测，采用该技术的旗舰机型可将AI推理延迟缩短至3ms级，用户体验阀值迎来质变。
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