振荡电路不起振原因分析

在当今高速成像应用中，如机器视觉、自主导航、增强/虚拟现实（AR/VR/MR）和条码扫描，传统的卷帘快门图像传感器往往力不从心，会因运动模糊或空间失真严重影响图像质量。为克服这些挑战并精准“冻结”快速运动的物体，具备全局快门特性的先进CMOS图像传感器成为关键选择。安森美深知工程师在为高速应用筛选最优全局快门传感器时需权衡大量参数（如分辨率、光学格式、帧率、功耗、动态范围、全局快门效率GSE及信噪比SNR等）以及高级功能（如同步触发、嵌入式自动曝光、ROI选择），因此开发了创新的Hyperlux SG系列产品。

安森美SiC Combo JFET技术通过创新性集成常开型SiC JFET与低压Si MOSFET，构建出高性能共源共栅（cascode）结构，攻克了SiC器件常开特性的应用瓶颈。该方案兼具SiC材料的高压处理能力、超低导通电阻（RDS(on)）与卓越热性能，以及Si MOSFET的易控常关特性，为大电流应用（如固态断路器、高功率开关系统）和多器件并联场景提供突破性的功率密度与效率解决方案。

IR:6红外芯片通过实质性的技术创新，显著提升了在面部识别、智能传感器和节能系统等应用中的关键性能（亮度、效率和图像质量）。它在人眼不可见的红外领域展现出卓越表现，特别是在安防领域以更高亮度、更低功耗和更优画质设定了新的距离覆盖和可靠性标准。

工业设备加速迈向电动化，对稳健、高效、适应性强的电池充电器需求激增。无论是手持工具还是重型机械，充电器必须应对严苛环境和全球通用电压输入（120-480 Vac），并优先满足小型化、轻量化及被动散热的设计要求。在这一关键任务中，功率因数校正（PFC）级的拓扑选择至关重要，它直接影响着系统效率、尺寸和成本。本文将剖析现代工业充电设计的核心挑战，重点对比传统升压 PFC 与日益流行的图腾柱 PFC 拓扑方案，并探讨碳化硅（SiC）MOSFET 如何颠覆性地赋能高效率解决方案，为工程师提供清晰的设计指导。

技术的迅猛发展持续推动着商业、工业及汽车等领域对耐高温集成电路（IC）的迫切需求。然而，高温环境会显著劣化集成电路的性能、可靠性与使用寿命，形成亟待解决的技术瓶颈。本文旨在系统分析高温对IC的物理影响，深入剖析高结温带来的核心挑战，并探讨针对高功率应用的有效设计应对策略。