发布时间：2025-04-30 阅读量：3905 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】在2025年北美技术研讨会上，台积电正式宣布其A14（1.4nm）工艺将于2028年量产，并明确表示无需依赖ASML最新一代High NA EUV光刻机。这一决策背后，折射出全球半导体巨头在技术路线、成本控制和市场竞争中的深层博弈。
技术路径：台积电的"多重曝光"创新
台积电通过优化现有Low NA EUV光刻机的多重图案化技术，实现了从2nm到A14节点的持续微缩。数据显示，A14工艺在相同功耗下速度提升15%，逻辑密度增加20%，且良率表现超预期。其核心突破在于第二代GAA晶体管架构与NanoFlex Pro设计协同技术，允许芯片设计者灵活调整晶体管配置以实现性能、功耗和面积的平衡。相比之下，英特尔则押注High NA EUV技术，计划在2025年将首批发货的High NA设备投入18A制程量产，并声称其生产效率比传统EUV提升2倍。
成本博弈：光刻机定价的"双刃剑"
ASML的High NA EUV设备单价高达3.8亿美元，是传统EUV的2.1倍。台积电通过大规模采购Low NA设备（2024-2025年订购超60台）摊薄成本，而英特尔虽抢先获得首台High NA设备，却需承担高昂的研发调试费用。值得关注的是，台积电通过议价使首台High NA设备采购价低于ASML报价27.5%，凸显其供应链话语权。三星则采取折中策略，计划2027年将High NA技术商用化，但初期仅用于研发。
竞争动态：代工市场的技术分水岭
英特尔通过High NA布局试图弯道超车，其14A节点将全面采用该技术，预计使晶体管密度提升2.9倍。而台积电选择在2029年推出的A14P工艺中引入High NA，同时开发背面供电技术（Super Power Rail），形成技术储备。三星则面临双重压力：既要追赶台积电的制程进度，又需应对High NA带来的晶圆厂改造挑战。三方博弈下，ASML的产能分配成为关键变量——2025年High NA设备年产量仅20台，英特尔已锁定半数以上。
未来布局：技术迭代的生态重构
台积电的延迟采用策略基于对产业生态的深度考量。当前90%的EUV设备集中于其晶圆厂，形成成熟的技术验证体系。而High NA的全面普及需要配套光刻胶、掩膜检测等产业链升级，ASML预计2030年才能实现Hyper NA（0.75数值孔径）设备商用。这种技术代际差为台积电创造了缓冲期，使其可通过A14X高性能版本（2029年）和CoWoS先进封装技术维持竞争优势。
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息，其核心制造部门——英特尔代工厂（Intel Foundry）的“初步”裁员已于7月中旬展开，预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调，该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”，此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕，标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后，美光也正式向核心客户发出通知，确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
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全球光学龙头舜宇光学科技（02382.HK）近期披露2025年5月出货量数据，呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下，公司业务版图正经历深度调整。
