发布时间：2025-04-29 阅读量：654 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】在全球DRAM市场格局加速重构的背景下，三星电子近期宣布将跳过第八代1e nm工艺节点，转而集中资源开发基于垂直通道晶体管（VCT）架构的下一代DRAM技术。据内部路线图显示，三星计划在2027年前实现VCT DRAM量产，较原定计划提前一个世代。该技术通过三维堆叠晶体管结构，将存储单元面积缩减30%，并利用双晶圆混合键合工艺解决信号干扰问题，被视为突破传统平面工艺物理极限的核心方案。
面对SK海力士凭借HBM3E技术抢占AI内存市场的压力，三星正加速内部架构调整。其第七代1d nm工艺研发团队已与1e nm研究组合并，同时在平泽工厂新建第七代DRAM测试线，预计2025年Q1完成设备部署，目标将良率提升至80%以上。值得注意的是，三星计划在2025年同步推出基于VCT架构的4F²原型芯片，并启动16层3D DRAM堆叠技术验证，尝试将NAND闪存的堆叠经验迁移至DRAM领域。
行业分析指出，VCT技术的突破面临三重挑战：需开发铁电体等新型介电材料以降低漏电流，优化晶圆级混合键合精度至微米级，以及重构背面供电网络（BSPDN）适配三维结构。三星为此已在美国硅谷设立专项实验室，并与东京电子合作开发原子层沉积设备。竞争对手SK海力士则选择差异化路径，规划在2026年推出基于0a nm节点的垂直栅极（VG）DRAM，并已实现五层堆叠结构的56.1%良率。
市场策略方面，三星计划逐步停产DDR4等低毛利产品，将产能转向LPDDR5X和HBM3E。此举既为应对长鑫存储等中国厂商在传统DRAM领域的价格竞争，也旨在集中资源攻克HBM4技术节点。据供应链消息，三星正与台积电协商合作开发HBM4基础裸晶，试图复制SK海力士与台积电的联合开发模式。机构预测，3D DRAM市场规模将在2028年突破千亿美元，技术路线之争或将重塑全球存储产业生态。
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息，其核心制造部门——英特尔代工厂（Intel Foundry）的“初步”裁员已于7月中旬展开，预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调，该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”，此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕，标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后，美光也正式向核心客户发出通知，确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息，三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程，标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED"，但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视（LCD），通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布，其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份，标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计，仅在散热方案上存在差异，均配备288GB HBM3E内存，较上一代MI300X的192GB提升50%，比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技（02382.HK）近期披露2025年5月出货量数据，呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下，公司业务版图正经历深度调整。
