发布时间：2025-04-29 阅读量：787 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】在全球DRAM市场格局加速重构的背景下，三星电子近期宣布将跳过第八代1e nm工艺节点，转而集中资源开发基于垂直通道晶体管（VCT）架构的下一代DRAM技术。据内部路线图显示，三星计划在2027年前实现VCT DRAM量产，较原定计划提前一个世代。该技术通过三维堆叠晶体管结构，将存储单元面积缩减30%，并利用双晶圆混合键合工艺解决信号干扰问题，被视为突破传统平面工艺物理极限的核心方案。
面对SK海力士凭借HBM3E技术抢占AI内存市场的压力，三星正加速内部架构调整。其第七代1d nm工艺研发团队已与1e nm研究组合并，同时在平泽工厂新建第七代DRAM测试线，预计2025年Q1完成设备部署，目标将良率提升至80%以上。值得注意的是，三星计划在2025年同步推出基于VCT架构的4F²原型芯片，并启动16层3D DRAM堆叠技术验证，尝试将NAND闪存的堆叠经验迁移至DRAM领域。
行业分析指出，VCT技术的突破面临三重挑战：需开发铁电体等新型介电材料以降低漏电流，优化晶圆级混合键合精度至微米级，以及重构背面供电网络（BSPDN）适配三维结构。三星为此已在美国硅谷设立专项实验室，并与东京电子合作开发原子层沉积设备。竞争对手SK海力士则选择差异化路径，规划在2026年推出基于0a nm节点的垂直栅极（VG）DRAM，并已实现五层堆叠结构的56.1%良率。
市场策略方面，三星计划逐步停产DDR4等低毛利产品，将产能转向LPDDR5X和HBM3E。此举既为应对长鑫存储等中国厂商在传统DRAM领域的价格竞争，也旨在集中资源攻克HBM4技术节点。据供应链消息，三星正与台积电协商合作开发HBM4基础裸晶，试图复制SK海力士与台积电的联合开发模式。机构预测，3D DRAM市场规模将在2028年突破千亿美元，技术路线之争或将重塑全球存储产业生态。
苹果公司与三星电子达成战略合作，将于2026年在三星得克萨斯州奥斯汀半导体工厂量产下一代iPhone图像传感器（CIS）。这项采用新型堆叠晶圆技术的芯片将首次应用于iPhone 18系列，通过双片晶圆粘合工艺显著提升能效和运算性能。此前苹果的CIS供应长期由索尼独家承担，此举标志着其核心零部件供应体系十年来的重大变革。
2025年8月5日，美国芯片巨头AMD公布截至6月30日的第二季度业绩。财报显示，公司单季营收达76.85亿美元（约合人民币556亿元），同比增长32%，超越市场预期的74亿美元，创历史新高。但受出口管制导致的库存减值拖累，Non-GAAP净利润同比下滑31%至7.81亿美元，每股收益0.48美元略低于预期。尽管第三季度营收指引87亿美元高于分析师预测，盘后股价仍下跌4.2%。
（2025年8月7日）半导体硅晶圆领先供应商环球晶圆（GlobalWafers）于今日宣布，其美国子公司GlobalWafers America LLC (GWA) 已与科技巨头苹果公司（Apple）达成一项全新的战略供应链伙伴关系。这一合作将有力推动美国本土半导体制造关键材料的供应，标志着美国重塑芯片供应链战略取得实质性进展。
全球领先的半导体晶圆专工企业联华电子（联电，UMC）今日正式公布了其2025年7月份合并营收报告。数据显示，公司当月营业收入达到新台币200.4亿元（约折合人民币48.1亿元）。相较于2025年6月份，营收环比呈现积极势头，增长幅度为6.5%。不过，与2024年同期相比，则微幅减少了4.1%，显示出去年同期高基数的对比影响。
2025年8月5日，全球半导体代工巨头格芯公布2025财年第二季度（截至6月30日）财报：季度营收达16.9亿美元，同比增长3.7%，略高于市场预估的16.8亿美元；非国际财务报告准则（Non-IFRS）每股收益0.42美元，大幅超越预期的0.35美元。然而，因第三季度营收指引（16.8亿美元±0.25亿美元）及每股收益（0.38美元±0.05美元）显著低于市场此前预期的17.9亿美元和0.41美元，当日公司股价重挫9.34%，收盘报32.8美元/股。
