发布时间：2025-04-28 阅读量：267 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】在2025年台积电北美技术论坛上，SK海力士以突破性技术成果引发行业关注。其最新发布的16层堆叠HBM4内存方案，凭借48GB容量、2.0TB/s带宽及8.0Gbps I/O速度，刷新了高带宽内存的性能纪录。该产品底层逻辑芯片由台积电N5制程代工，采用先进的混合键合（Hybrid Bonding）与TSV（硅通孔）技术，计划于2025年下半年量产，预计年底前可集成至AI加速器等终端产品中。值得关注的是，这是业内首次公开的HBM4技术展示，相较于竞争对手三星仍在推进的12层HBM3E（1.2TB/s带宽），SK海力士在堆叠层数和带宽密度上实现了代际领先。
技术突破的核心在于Advanced MR-MUF（大规模回流模塑底部填充）工艺的优化。通过改进热传导材料和垂直互连结构，SK海力士成功将芯片间隙压缩至7微米以内，在JEDEC放宽HBM4厚度标准至775微米后，实现了16层堆叠的良率突破。该技术路径不仅解决了传统TC-NCF工艺的散热难题，还为未来24层堆叠方案奠定了基础。同时展示的16层HBM3E产品已进入英伟达GB300 "Blackwell Ultra"芯片供应链，其1.2TB/s带宽性能较前代提升30%，突显其在AI算力集群中的关键作用。
服务器内存模块领域同样展现创新实力，基于1c nm制程的RDIMM和MRDIMM产品实现12,500MB/s传输速度。其中MRDIMM系列支持12.8Gbps速率与256GB容量，采用3D堆叠技术优化信号完整性，可满足下一代数据中心对高密度、低延迟内存的需求。这一进展与台积电CoWoS先进封装技术的深度协同密不可分，双方合作开发的9.5倍光罩尺寸封装方案，支持单封装内集成12个HBM堆叠，为AI芯片的异构集成开辟新路径。
市场策略方面，SK海力士通过提前布局HBM4客户验证流程，计划在2025年Q3完成量产准备，目标直指英伟达"Grace Hopper"系列AI加速器。行业数据显示，其HBM市场占有率已突破70%，结合32Gb DRAM裸片和混合键合技术路线，有望在2026年推出的HBM4E产品中实现64GB容量与40%能效提升。这种技术迭代速度远超三星、美光等竞争对手，或将重塑全球存储产业竞争格局。
全球领先的传感器与功率IC解决方案供应商Allegro MicroSystems（纳斯达克：ALGM）于7月31日披露截至2025年6月27日的2025财年第一季度财务报告。数据显示，公司当季实现营业收入2.03亿美元，较去年同期大幅提升22%，创下历史同期新高。业绩增长主要源于电动汽车和工业两大核心板块的强劲需求，其中电动汽车相关产品销售额同比增长31%，工业及其他领域增速高达50%。
受强劲的人工智能（AI）需求驱动，全球存储芯片市场格局在2025年第二季度迎来历史性转折。韩国SK海力士凭借在高带宽存储器（HBM）领域的领先优势，首次超越三星电子，以21.8万亿韩元的存储业务营收问鼎全球最大存储器制造商。三星同期存储业务营收为21.2万亿韩元，同比下滑3%，退居次席。
8月1日，英伟达官网更新其800V高压直流（HVDC）电源架构关键合作伙伴名录，中国氮化镓（GaN）技术领军企业英诺赛科（Innoscience）赫然在列。英诺赛科将为英伟达革命性的Kyber机架系统提供全链路氮化镓电源解决方案，成为该名单中唯一入选的中国本土供应商。此重大突破性合作直接推动英诺赛科港股股价在消息公布当日一度飙升近64%，市场反响热烈。
全球领先的功率半导体解决方案供应商MPS（Monolithic Power Systems）于7月31日正式公布截至2025年6月30日的第二季度财务报告。数据显示，公司本季度业绩表现亮眼，多项核心指标实现显著增长，并释放出持续向好的发展信号。
贸泽电子（Mouser Electronics）于2025年8月正式推出工业自动化资源中心，为工程技术人员提供前沿技术洞察与解决方案库。该平台整合了控制系统、机器人技术及自动化软件的最新进展，旨在推动制造业向智能化、可持续化方向转型。
