发布时间：2025-04-28 阅读量：60 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】在2025年台积电北美技术论坛上，SK海力士以突破性技术成果引发行业关注。其最新发布的16层堆叠HBM4内存方案，凭借48GB容量、2.0TB/s带宽及8.0Gbps I/O速度，刷新了高带宽内存的性能纪录。该产品底层逻辑芯片由台积电N5制程代工，采用先进的混合键合（Hybrid Bonding）与TSV（硅通孔）技术，计划于2025年下半年量产，预计年底前可集成至AI加速器等终端产品中。值得关注的是，这是业内首次公开的HBM4技术展示，相较于竞争对手三星仍在推进的12层HBM3E（1.2TB/s带宽），SK海力士在堆叠层数和带宽密度上实现了代际领先。
技术突破的核心在于Advanced MR-MUF（大规模回流模塑底部填充）工艺的优化。通过改进热传导材料和垂直互连结构，SK海力士成功将芯片间隙压缩至7微米以内，在JEDEC放宽HBM4厚度标准至775微米后，实现了16层堆叠的良率突破。该技术路径不仅解决了传统TC-NCF工艺的散热难题，还为未来24层堆叠方案奠定了基础。同时展示的16层HBM3E产品已进入英伟达GB300 "Blackwell Ultra"芯片供应链，其1.2TB/s带宽性能较前代提升30%，突显其在AI算力集群中的关键作用。
服务器内存模块领域同样展现创新实力，基于1c nm制程的RDIMM和MRDIMM产品实现12,500MB/s传输速度。其中MRDIMM系列支持12.8Gbps速率与256GB容量，采用3D堆叠技术优化信号完整性，可满足下一代数据中心对高密度、低延迟内存的需求。这一进展与台积电CoWoS先进封装技术的深度协同密不可分，双方合作开发的9.5倍光罩尺寸封装方案，支持单封装内集成12个HBM堆叠，为AI芯片的异构集成开辟新路径。
市场策略方面，SK海力士通过提前布局HBM4客户验证流程，计划在2025年Q3完成量产准备，目标直指英伟达"Grace Hopper"系列AI加速器。行业数据显示，其HBM市场占有率已突破70%，结合32Gb DRAM裸片和混合键合技术路线，有望在2026年推出的HBM4E产品中实现64GB容量与40%能效提升。这种技术迭代速度远超三星、美光等竞争对手，或将重塑全球存储产业竞争格局。
格科微电子（688728.SH）2024年度财务报告显示，公司年度营收突破63.83亿元人民币，实现35.9%的同比增幅，归母净利润呈几何级增长达1.87亿元，EBITDA指标跃升107.13%至14.15亿元。这种爆发式增长源自其在CMOS图像传感器(CIS)领域实施的"技术锚定+场景穿透"双轮驱动战略，特别是在高像素产品矩阵构建和新兴应用市场开拓方面取得突破性进展。
RS2604作为一款高集成度、可配置OVP（过压保护）和OCP（过流保护）的eFuse开关，专为12V24V母线电压接口设计，兼顾热插拔保护与动态负载管理。其输入电压覆盖4.5V40V，极限耐压高达45V，适用于工业设备、汽车电子及消费电子领域。通过外部电阻灵活设置350mA至2.5A的限流值，结合±7%高精度电流检测，RS2604在安全性与能效间实现平衡，成为复杂电源系统的核心保护方案。
荷兰半导体巨头恩智浦于2025年4月28日披露的财报显示，公司第一季度营收28.35亿美元，同比、环比均下滑9%，但略超市场预期。在汽车、工业与物联网等核心业务需求疲软的背景下，Non-GAAP毛利率同比下降2.1个百分点至56.1%，自由现金流则维持在4.27亿美元，突显其成本控制能力。值得关注的是，管理层对第二季度营收指引中值（29亿美元）释放出环比复苏信号，但关税政策的不确定性仍为业绩蒙上阴影。
根据IDC最新发布的企业级存储市场追踪数据，2024年中国存储产业迎来结构性增长拐点。全年市场规模达69.2亿美元，在全球市场占比提升至22%，展现出强劲复苏态势。以浪潮信息为代表的国内厂商持续突破，在销售额（10.9%）和出货量（11.2%）两大核心指标上均跻身市场前两强，标志着本土存储生态的成熟度显著提升。
全球消费电子巨头索尼集团近期被曝正酝酿重大战略调整。据彭博社援引多位知情人士透露，该集团拟对旗下核心半导体资产——索尼半导体解决方案公司（SSS）实施部分分拆，计划于2023年内推动该子公司在东京证券交易所独立IPO。该决策标志着索尼在半导体产业布局进入新阶段，同时也预示着全球图像传感器市场格局或将发生重要变化。
