发布时间：2025-04-23 阅读量：292 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】在AI算力需求爆发的2025年，SK海力士凭借其最新发布的CMM-DDR5 96GB CXL 2.0内存模块，再次站上存储技术的制高点。这一突破性成果不仅刷新了内存扩展的性能边界，更通过创新架构解决了数据中心长期面临的成本与效率矛盾。
技术优势：性能与能效双突破
1. 容量与带宽飞跃
相较于传统DDR5模组，该产品实现容量提升50%（达96GB）、带宽扩展30%，数据吞吐量峰值达36GB/s。其采用的第五代10纳米级（1b）32Gb DDR5 DRAM芯片，以更低的1.1V电压实现更高能效比，单位功耗数据处理量提升22%。
2. 内存池化技术
通过CXL 2.0协议支持的存储池化（Memory Pooling）功能，多台服务器可动态共享同一内存资源池，将闲置内存利用率从传统架构的不足40%提升至90%以上。结合自主研发的HMSDK软件，系统可智能分配高频访问数据至本地DRAM，低频数据至CXL扩展内存，整体延迟降低12%。
3. 全生态兼容性
产品兼容PCIe 5.0接口并适配Linux内核，已通过主流服务器厂商验证。SK海力士联合台积电5纳米制程打造的控制器芯片，为未来CXL 3.0升级预留技术冗余.
竞品对比：技术代差显著
数据来源：公开技术白皮书及厂商测试报告
破解四大技术困局
1. 内存墙突破
传统DDR5受限于物理通道数量，单CPU最大支持12通道，而CXL通过逻辑通道虚拟化，实现等效24通道扩展能力，满足AI训练中TB级参数实时加载需求。
2. TCO（总拥有成本）优化
内存池化使数据中心无需为每台服务器预留冗余内存，硬件采购成本降低25%，结合能效提升带来的电费节省，综合TCO降幅超30%。
3. 异构计算协同
CXL 2.0的缓存一致性协议，使GPU可直接访问CPU内存池，减少数据复制开销。在LLM推理场景中，Token处理速度提升31。
4. 未来兼容性保障
模块化设计支持128GB版本平滑升级，采用1β工艺的下一代产品已进入验证阶段，2026年容量有望突破256GB。
市场前景与行业影响
据Yole预测，2028年CXL内存市场规模将超120亿美元。SK海力士凭借先发优势，已与英特尔、AMD等厂商建立联合实验室，推动CXL在至强6、EPYC Turin等新一代平台的应用。与此同时，铠侠等竞争者正研发基于新型介质的CXL存储器，试图以更低功耗实现DRAM与NAND的性能平衡，但商业化进程预计延迟至2030年。
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息，其核心制造部门——英特尔代工厂（Intel Foundry）的“初步”裁员已于7月中旬展开，预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调，该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”，此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕，标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后，美光也正式向核心客户发出通知，确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息，三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程，标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED"，但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视（LCD），通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布，其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份，标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计，仅在散热方案上存在差异，均配备288GB HBM3E内存，较上一代MI300X的192GB提升50%，比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技（02382.HK）近期披露2025年5月出货量数据，呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下，公司业务版图正经历深度调整。
