发布时间：2025-04-22 阅读量：441 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】英飞凌最新推出的CoolGaN™ G5中压晶体管，首次将肖特基二极管集成至100V级GaN器件内部，这一设计突破传统分立方案的物理限制。通过AlGaN/GaN异质结形成的二维电子气（2DEG）通道，结合P-GaN层自平衡极化效应，实现了常关型增强模式运作。其3x5 mm PQFN封装内嵌的肖特基结构，直接消除反向恢复电荷（Qrr），使死区损耗降低至传统硅器件的1/5。
一、技术架构的颠覆性创新
英飞凌最新推出的CoolGaN™ G5中压晶体管，首次将肖特基二极管集成至100V级GaN器件内部，这一设计突破传统分立方案的物理限制。通过AlGaN/GaN异质结形成的二维电子气（2DEG）通道，结合P-GaN层自平衡极化效应，实现了常关型增强模式运作。其3x5 mm PQFN封装内嵌的肖特基结构，直接消除反向恢复电荷（Qrr），使死区损耗降低至传统硅器件的1/5。
二、性能跃升的量化表现
对比前代产品，CoolGaN™ G5系列在关键参数上实现跨越式提升：
● 输出电容能量（Eoss）：降低50%，显著优化硬开关特性
● 漏源电荷（Qoss）与栅极电荷（Qg）：同步缩减60%，支持MHz级开关频率
● 导通电阻（RDS(on)）：100V级器件达1.5mΩ，功率密度提升3倍
实验室数据显示，在1kW服务器电源模块中，系统效率突破98.2%，较SiC方案提高1.7个百分点，同时PCB面积缩减40%。
三、工业场景的普适性革新
该器件已通过AEC-Q101车规认证，覆盖三大核心应用领域：
1. 数据中心：在48V-12V中间总线转换器（IBC）中实现99.3%峰值效率
2. 电机驱动：支持150kHz PWM频率下的三相逆变器设计
3. 可再生能源：光伏优化器损耗降低至0.8W/模块
四、产业链协同效应分析
英飞凌采用8英寸晶圆制造工艺，联合马来西亚居林工厂的12英寸产线布局，确保产能爬坡速度提升30%。据Yole预测，至2029年GaN功率市场规模将突破20亿美元，而CoolGaN™ G5的集成化路线有望占据35%工业市场份额。
全球领先的传感器与功率IC解决方案供应商Allegro MicroSystems（纳斯达克：ALGM）于7月31日披露截至2025年6月27日的2025财年第一季度财务报告。数据显示，公司当季实现营业收入2.03亿美元，较去年同期大幅提升22%，创下历史同期新高。业绩增长主要源于电动汽车和工业两大核心板块的强劲需求，其中电动汽车相关产品销售额同比增长31%，工业及其他领域增速高达50%。
受强劲的人工智能（AI）需求驱动，全球存储芯片市场格局在2025年第二季度迎来历史性转折。韩国SK海力士凭借在高带宽存储器（HBM）领域的领先优势，首次超越三星电子，以21.8万亿韩元的存储业务营收问鼎全球最大存储器制造商。三星同期存储业务营收为21.2万亿韩元，同比下滑3%，退居次席。
8月1日，英伟达官网更新其800V高压直流（HVDC）电源架构关键合作伙伴名录，中国氮化镓（GaN）技术领军企业英诺赛科（Innoscience）赫然在列。英诺赛科将为英伟达革命性的Kyber机架系统提供全链路氮化镓电源解决方案，成为该名单中唯一入选的中国本土供应商。此重大突破性合作直接推动英诺赛科港股股价在消息公布当日一度飙升近64%，市场反响热烈。
全球领先的功率半导体解决方案供应商MPS（Monolithic Power Systems）于7月31日正式公布截至2025年6月30日的第二季度财务报告。数据显示，公司本季度业绩表现亮眼，多项核心指标实现显著增长，并释放出持续向好的发展信号。
贸泽电子（Mouser Electronics）于2025年8月正式推出工业自动化资源中心，为工程技术人员提供前沿技术洞察与解决方案库。该平台整合了控制系统、机器人技术及自动化软件的最新进展，旨在推动制造业向智能化、可持续化方向转型。
