发布时间：2025-04-21 阅读量：736 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】全球新能源汽车正经历"功率跃迁"，据IDTechEX数据显示，800V高压平台车型的SiC渗透率已达71%，主驱系统正向1200V/450A+高功率架构演进。华润微电子PDBG基于自主SiC IDM平台，创新推出双拓扑结构主驱模块，其DCM/HPD系列产品实测结温控制、均流特性等核心指标已超越国际竞品。
【硬核技术拆解】
1. 芯片级创新：采用Vth分档技术实现6-8管精准并联，导通损耗降低至竞品A的83%
2. 封装黑科技：
● 双面银烧结+AMB氮化硅基板：寄生电感＜5nH（较传统DBC降低40%）
● 3D Pin-Fin水道设计：热阻系数优化18%，实测芯片温差1.78℃（行业平均＞3℃）
3. 系统级验证：
● 台架测试400Arms工况下，模块效率＞98.7%
● 160小时耐久测试参数漂移＜2%，满足ASIL-D功能安全要求
【800V生态布局】
针对800V平台特殊需求，模块集成：
● 智能NTC传感器：温度采样精度±1℃
● 低电感端子设计：支持20kHz以上开关频率
● 耐离子迁移封装：通过85℃/85%RH-1000h可靠性认证
【国产替代突破】
华润微电子已建成月产5万片的车规级SiC产线，其DCM模块相较进口产品：
● 开关损耗降低22%
● 功率密度提升至45kW/L（行业基准40kW/L）
● 系统成本下降15%（得益于AMB基板国产化）
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息，其核心制造部门——英特尔代工厂（Intel Foundry）的“初步”裁员已于7月中旬展开，预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调，该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”，此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕，标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后，美光也正式向核心客户发出通知，确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息，三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程，标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED"，但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视（LCD），通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布，其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份，标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计，仅在散热方案上存在差异，均配备288GB HBM3E内存，较上一代MI300X的192GB提升50%，比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技（02382.HK）近期披露2025年5月出货量数据，呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下，公司业务版图正经历深度调整。
