发布时间：2025-04-18 阅读量：697 来源: 综合自网络 发布人: wenwei
【导读】全球半导体标准制定机构JEDEC于4月17日正式推出革命性高带宽内存HBM4标准，这项被业界称为"AI加速器终极武器"的新规范，在带宽密度、能效比及系统集成度上实现多维突破，标志着高性能计算与生成式AI芯片进入全新发展阶段。
<核心性能突破>
作为第四代高带宽内存技术，HBM4在架构设计上采用三大革新策略：
1. 带宽跃升：通过2048-bit超宽接口与8Gb/s信号传输速率的协同优化，实现单堆栈2TB/s的惊人带宽，较HBM3提升近1.5倍，可满足万亿参数AI模型实时推理需求。
2. 通道重构：将独立通道数量翻倍至32个，并首创双伪通道架构，使内存并行存取效率提升200%，尤其适配Transformer架构的随机访问模式。
3. 能效革新：引入动态电压调节技术，支持VDDQ 0.7-0.9V与VDDC 1.0-1.05V多级电源配置，在AI训练场景下可比前代降低23%功耗。
<技术创新亮点>
■ 3D堆叠进化：支持16层堆叠工艺，搭配32Gb核心芯片实现单堆栈64GB容量，较现有方案提升3倍存储密度，为大型语言模型提供经济型内存解决方案
■ 安全架构升级：集成定向刷新管理(DRFM)技术，通过智能监测行激活频率，将Rowhammer攻击防护等级提升至军工级标准
■ 信号完整性突破：采用物理层分离架构，将命令总线与数据总线解耦设计，使信号串扰降低40%，支持未来10Gb/s以上速率演进
<产业生态布局>
三大存储巨头已构建完整技术路线图：三星宣布2025年量产基于TSV 4.0工艺的HBM4产品；SK海力士计划将混合键合技术应用于16层堆叠；美光则聚焦1β制程与纠错算法的整合开发。值得关注的是，HBM4标准特别保留与HBM3控制器的兼容模式，允许企业通过混插配置实现算力平滑升级。
<行业影响前瞻>
据Gartner预测，HBM4的商用化将直接推动AI加速卡市场在2026年突破400亿美元规模。该技术不仅可解决GPT-4级别模型的显存墙问题，其分离总线设计更为存算一体芯片提供底层架构支持。随着AMD Instinct MI400、英伟达B100等下一代加速器陆续采用，数据中心单机柜算力密度有望突破3PFLOPS。
目前JEDEC已开放HBM4完整技术文档下载，包括信号完整性验证方案与热设计指南，预计首批工程样品将于2024Q4面世。这项标准的落地，标志着人工智能硬件正式跨入"内存定义算力"的新纪元。
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息，其核心制造部门——英特尔代工厂（Intel Foundry）的“初步”裁员已于7月中旬展开，预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调，该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”，此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕，标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后，美光也正式向核心客户发出通知，确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息，三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程，标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED"，但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视（LCD），通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布，其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份，标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计，仅在散热方案上存在差异，均配备288GB HBM3E内存，较上一代MI300X的192GB提升50%，比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技（02382.HK）近期披露2025年5月出货量数据，呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下，公司业务版图正经历深度调整。
