发布时间：2025-04-16 阅读量：278 来源: 综合自网络 发布人: wenwei
【导读】威世科技（NYSE:VSH）近日发布全新SiHK050N65E功率MOSFET器件，该产品属于Gen4.5 650V E系列，专为通信、工业及计算领域的高效能需求研发。相较于前代产品，该MOSFET实现关键技术突破：导通电阻降低48.2%，栅极电荷与导通电阻乘积（FOM）优化65.4%，显著提升功率转换效率。
这款采用PowerPAK® 10x12封装的新品适用于6kW以上高功率场景，支持200-277VAC宽电压输入，符合开放计算项目ORV3标准。其核心优势包括：
1. 0.048Ω超低导通电阻（10V条件）
2. 78nC栅极电荷实现3.74nC*Ω优值系数
3. 167pF有效输出电容创行业新低
4. 通过100%雪崩测试，强化过压保护能力
在应用层面，SiHK050N65E可满足：
● 数据中心：服务器电源钛金认证、边缘计算设备
● 工业场景：UPS不间断电源、焊接设备、光伏逆变器
● 通信系统：5G基站电源模块
● 新能源领域：电动汽车充电桩、电池管理系统
目前该器件已进入量产阶段，支持Kelvin连接设计以增强抗干扰性，符合RoHS环保标准。威世科技同步提供技术样品申请服务，具体供货周期可通过官方渠道查询。此次产品升级将有效助力电源系统架构在PFC电路和DC/DC转换环节实现能效突破，推动高密度电源方案发展。
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息，其核心制造部门——英特尔代工厂（Intel Foundry）的“初步”裁员已于7月中旬展开，预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调，该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”，此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕，标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后，美光也正式向核心客户发出通知，确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息，三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程，标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED"，但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视（LCD），通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布，其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份，标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计，仅在散热方案上存在差异，均配备288GB HBM3E内存，较上一代MI300X的192GB提升50%，比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技（02382.HK）近期披露2025年5月出货量数据，呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下，公司业务版图正经历深度调整。
