Vishay推出Gen4.5 650V E系列MOSFET 能效提升65%助力高功率应用

发布时间:2025-04-16 阅读量:341 来源: 综合自网络 发布人: wenwei

【导读】威世科技(NYSE:VSH)近日发布全新SiHK050N65E功率MOSFET器件,该产品属于Gen4.5 650V E系列,专为通信、工业及计算领域的高效能需求研发。相较于前代产品,该MOSFET实现关键技术突破:导通电阻降低48.2%,栅极电荷与导通电阻乘积(FOM)优化65.4%,显著提升功率转换效率。


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这款采用PowerPAK® 10x12封装的新品适用于6kW以上高功率场景,支持200-277VAC宽电压输入,符合开放计算项目ORV3标准。其核心优势包括:


1. 0.048Ω超低导通电阻(10V条件)

2. 78nC栅极电荷实现3.74nC*Ω优值系数

3. 167pF有效输出电容创行业新低

4. 通过100%雪崩测试,强化过压保护能力


在应用层面,SiHK050N65E可满足:


  ●    数据中心:服务器电源钛金认证、边缘计算设备

  ●    工业场景:UPS不间断电源、焊接设备、光伏逆变器

  ●    通信系统:5G基站电源模块

  ●    新能源领域:电动汽车充电桩、电池管理系统


目前该器件已进入量产阶段,支持Kelvin连接设计以增强抗干扰性,符合RoHS环保标准。威世科技同步提供技术样品申请服务,具体供货周期可通过官方渠道查询。此次产品升级将有效助力电源系统架构在PFC电路和DC/DC转换环节实现能效突破,推动高密度电源方案发展。


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