德州仪器发布新型汽车芯片组,推动自动驾驶安全性与感知能力升级

发布时间:2025-04-15 阅读量:935 来源: TI 发布人: wenwei

【导读】德州仪器(TI)于2025年4月推出全新汽车芯片系列,涵盖激光雷达驱动、高精度时钟及毫米波雷达传感器三大核心领域。该系列产品通过技术创新优化实时决策能力、系统可靠性及探测精度,助力车企满足更高安全标准,加速向全自动驾驶演进。


一、激光雷达技术突破:提升探测距离与安全性 


LMH13000集成式激光驱动器


  ●   超快响应:800ps上升时间使测量距离延长30%,支持更远障碍物识别。

  ●   高精度温控:-40℃至125℃范围内电流变化率仅2%(传统方案达30%),确保人眼安全标准(FDA 1类)。

  ●   成本与体积优化:集成LVDS/CMOS/TTL信号控制,无需外部电路,系统成本降低30%,尺寸缩减四倍。

  ●   应用场景:适用于紧凑型激光雷达模块的离散安装,覆盖更多车型及车身区域。


二、基于BAW技术的时钟解决方案:增强ADAS稳定性 


CDC6C-Q1振荡器与LMK3系列时钟发生器


  ●   抗干扰能力:比石英时钟可靠性提升100倍,时基故障率仅0.3,适应振动及电磁干扰环境。

  ●   高精度同步:优化车载信息娱乐与ADAS系统的数据传输效率,支持复杂算法运行。

  ●   行业价值:为L3+自动驾驶提供稳定的时钟基准,降低系统误判风险。


三、毫米波雷达升级:扩展感知范围与数据处理能力 


AWR2944P传感器核心升级


  ●   性能增强:信噪比提升,支持更复杂算法,检测范围扩大40%。

  ●   硬件加速:集成雷达专用加速器,释放微控制器算力用于边缘AI任务(如障碍物分类)。

  ●   多场景适配:优化前置及角置雷达功能,覆盖十字路口等高事故风险场景。

  ●   实测数据:360万公里车道级地图覆盖,定位精度达厘米级,支持全无人驾驶运营。


四、技术整合与市场影响 


  ●   协同效应:激光雷达+时钟+雷达的多维感知方案,构建冗余安全体系。

  ●   成本优势:芯片级集成降低车企研发门槛,加速ADAS功能普及至中端车型。

  ●   行业趋势:应对全球供应链重组,TI通过本土化流片与封装技术平衡地缘政治风险。


专家观点


TI中国区技术总监赵向源表示:“半导体创新需兼顾功能安全与经济性。此次发布的产品组合,既满足NCAP新规要求,也为车企向L4级自动驾驶过渡提供平滑路径。”


五、产品上市与技术支持 


  ●   供货状态:LMH13000、CDC6C-Q1、AWR2944P等芯片已开放预生产采购,评估模块同步上线。

  ●   开发资源:TI官网提供技术文档、设计工具及行业白皮书(如《激光雷达的远距探测技术》)。


结语


德州仪器通过底层芯片创新,持续推动汽车感知系统的性能边界。随着全球自动驾驶法规趋严,高集成、低成本的解决方案将成为车企竞争关键,而TI的技术布局正引领这一变革。


相关资讯
Diodes Q2财务报告:营收超预期增长,连续三季度同比上扬

Diodes公司近期公布了截至2025年6月30日的第二季度财务业绩,标志着其连续三个季度实现同比增长,显示出半导体市场的稳步复苏。根据报告,该公司在多个关键财务指标上表现稳健,受益于全球需求的逐步回升和市场结构优化。公司高层认为,这一业绩源于亚洲地区的强劲拉动和产品组合的适应性调整。

MACOM Q3营收同比激增32.3%,射频芯片龙头再创增长新高

美国射频半导体龙头企业MACOM Technology Solutions于8月7日正式公布截至2025年7月4日的第三财季业绩报告。财报显示,当季实现营收2.521亿美元,较去年同期大幅增长32.3%,创下近三年最高单季增速。

Microchip复苏计划成效显著:Q1营收环比增10.8%,库存大幅优化,AI/国防订单强劲

美国微芯科技公司(Microchip Technology)于8月7日发布了其2026财年第一季度(截至2025年6月30日)的财务报告。报告显示,公司业绩呈现显著复苏迹象,多项关键指标环比改善,并超出此前修订后的业绩指引。

产需趋向平衡!赛力斯7月新能源销量占比突破93%

8月8日,赛力斯集团(601127)公布2025年7月产销快报。数据显示,尽管整体市场仍承压,集团在主力新能源汽车板块显现增长韧性,单月销量同比提升5.7%,而传统燃油车型业务持续收缩,反映出业务转型的深化推进。

INS1011SD + VGaN™:颠覆传统BMS的低边保护方案

在追求更高效率、更小体积和更低成本的电力电子系统发展趋势下,传统的硅基(Si)功率器件,特别是在双向能量流动应用(如电池管理系统BMS)中常用的背靠背MOSFET方案,逐渐显现出性能瓶颈。氮化镓(VGaN™)器件凭借其卓越的开关速度、低导通电阻和更小的尺寸,成为理想的替代者。然而,充分发挥VGaN™的潜力需要与之高度匹配的专用驱动芯片。英诺赛科(Innoscience)作为全球领先的VGaN™ IDM厂商,推出全球首款100V低边驱动芯片INS1011SD,标志着“VGaN™+专用驱动”完整解决方案的成熟,为双向电力电子系统设计带来革命性突破。