发布时间:2025-04-15 阅读量:717 来源: Cadence 发布人: wenwei
【导读】2025年4月,Cadence与台积电(TSMC)联合宣布,基于台积电最新N3P工艺节点的嵌入式USB2版本2(eUSB2V2)IP解决方案成功流片,标志着现代计算设备接口技术的重大突破。该方案整合了PHY IP与控制器IP,支持高达4.8Gbps的数据传输速率,较传统USB 2.0提升十倍,为AI PC、4K视频处理、物联网及5G通信设备提供高效能连接支持。
技术亮点与工艺优势
eUSB2V2标准于2024年9月发布,专为应对先进制程(5纳米及以下)的低电压(<1.2V)需求设计,解决了传统USB 2.0在3.3V高电压下的工艺兼容性问题,显著降低功耗并提升能效。台积电N3P工艺通过光学微缩技术,相较于前代N3E,在相同功耗下性能提升4%或功耗降低9%,同时优化了生产成本与良率,成为AI芯片与高性能计算的首选工艺。Cadence的解决方案在此工艺基础上,进一步支持非对称链路模式(4.8Gbps)与对称配置(960Mbps至4.8Gbps),满足多样化场景需求。
应用场景与市场影响
随着AI驱动的计算、高分辨率摄像头及实时数据处理需求激增,传统接口带宽瓶颈日益凸显。eUSB2V2的推出将支持4K/8K视频无缝传输、增强现实(AR)应用流畅运行,并释放AI设备潜力,例如智能摄像头、边缘计算模块及5G基站。此外,该IP方案通过增强抗电磁干扰(EMI)能力与可扩展链路配置,为紧凑型物联网设备设计提供灵活性。
合作背景与行业认可
Cadence与台积电的长期合作覆盖3D-IC、先进封装及IP开发,此次eUSB2V2 IP的流片是双方在N3P节点上的又一里程碑。台积电北美子公司高管Lluis Paris指出,此次合作体现了双方对技术前瞻性与产业需求的精准把握。目前,已有客户将该IP集成至新一代计算设备SoC中,预计2025年下半年搭载该技术的终端产品将陆续上市。
未来展望
eUSB2V2 IP的推出不仅填补了传统USB与高速接口间的技术鸿沟,更推动了半导体工艺与系统设计的协同创新。随着台积电N3P工艺的大规模应用,Cadence的IP生态将进一步加速AI、超算及消费电子领域的性能升级,为全球科技产业注入新动能。
2025年第一季度,中国大陆PC市场(不含平板电脑)迎来开门红,整体出货量达到890万台,同比增长12%,呈现稳健复苏态势。与此同时,平板电脑市场表现更为亮眼,出货量达870万台,同比大幅攀升19%,显示出移动计算设备的持续受欢迎。
2025年6月17日,上海——全球智能电源与感知技术领导者安森美(onsemi, NASDAQ: ON) 在第九届北京国际听力学大会上展示了革新性听力健康技术。公司凭借Ezairo系列智能音频平台,重点呈现了人工智能在可穿戴听觉设备中的前沿应用,彰显其在个性化听觉解决方案领域的创新领导力。
在AI与可穿戴设备爆发式发展的背景下,传统霍尔传感器受限于封装尺寸(普遍≥1.1×1.4mm)和功耗水平(通常>4μA),难以满足AR眼镜、智能戒指等新兴设备对空间与能效的严苛需求。艾为电子依托17年数模混合芯片设计经验,推出新一代Hyper-Hall系列霍尔传感器,通过0.8×0.8×0.5mm FCDFN封装与0.8μA工作功耗(后续型号将达0.1μA),实现体积较传统方案缩小60%,功耗降低80%。该系列支持1.1-5.5V宽电压,覆盖18-100Gs磁场阈值,提供推挽/开漏双输出模式,为微型电子设备提供底层传感支撑。
韩国科学技术院(KAIST)近期发布长达371页的技术预测报告,系统勾勒出2026至2038年高带宽内存(HBM)的发展路径。该研究基于当前技术趋势与行业研发方向,提出从HBM4到HBM8的五大代际升级框架,覆盖带宽、容量、能效及封装架构的突破性演进。
韩国媒体Business Korea最新披露,全球处理器巨头AMD日前推出的革命性AI芯片MI350系列,已确认搭载三星电子最新研发的12层堆叠HBM3E高带宽内存。这一战略性合作对三星具有里程碑意义,标志着其HBM技术在新一代AI计算平台中获得核心供应商地位。