兆易创新发布GD5F1GM9高速闪存芯片 读取速度提升3倍

发布时间:2025-04-15 阅读量:169 来源: 我爱方案网 作者:

【导读】【北京】2025年4月15日,中国半导体龙头企业兆易创新(603986)正式推出革命性存储产品GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash。该产品通过创新架构设计,实现83MB/s极速读取性能,较传统产品提升300%,同时搭载智能坏块管理系统,为物联网、工业控制等领域提供高性价比存储解决方案。


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核心技术突破:


1. 速度飞跃:采用24nm先进制程与并行ECC算法,3V电压下工作频率达166MHz,连续读取速率突破83MB/s,系统启动时间缩短40%


2. 智能管理:首创动态地址映射技术,通过逻辑-物理块地址智能转换,将坏块影响降低90%,存储空间利用率提升35%


3。 能效优化:支持双电压(3V/1.8V)模式,在66MB/s速率下功耗较同类产品下降20%


据兆易创新存储事业部总经理苏如伟介绍,该产品创新融合NOR Flash的高速特性与NAND Flash的成本优势,尤其适用于智能安防摄像机、工业PLC控制器等需要快速启动的设备。通过内置8bit ECC校验和Cache Read技术,有效解决传统SPI NAND易受数据干扰的行业难题。


目前GD5F1GM9系列已实现1Gb容量量产,提供WSON8和BGA24两种封装方案,兼容主流工业设备接口标准。企业用户可通过兆易创新官方渠道获取样品及技术文档,批量订单可享受定制化固件开发服务。


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