发布时间：2025-04-15 阅读量：283 来源: 我爱方案网 作者:
【导读】【北京】2025年4月15日，中国半导体龙头企业兆易创新（603986）正式推出革命性存储产品GD5F1GM9系列高速QSPI NAND Flash。该产品通过创新架构设计，实现83MB/s极速读取性能，较传统产品提升300%，同时搭载智能坏块管理系统，为物联网、工业控制等领域提供高性价比存储解决方案。
核心技术突破：
1. 速度飞跃：采用24nm先进制程与并行ECC算法，3V电压下工作频率达166MHz，连续读取速率突破83MB/s，系统启动时间缩短40%
2. 智能管理：首创动态地址映射技术，通过逻辑-物理块地址智能转换，将坏块影响降低90%，存储空间利用率提升35%
3。 能效优化：支持双电压（3V/1.8V）模式，在66MB/s速率下功耗较同类产品下降20%
据兆易创新存储事业部总经理苏如伟介绍，该产品创新融合NOR Flash的高速特性与NAND Flash的成本优势，尤其适用于智能安防摄像机、工业PLC控制器等需要快速启动的设备。通过内置8bit ECC校验和Cache Read技术，有效解决传统SPI NAND易受数据干扰的行业难题。
目前GD5F1GM9系列已实现1Gb容量量产，提供WSON8和BGA24两种封装方案，兼容主流工业设备接口标准。企业用户可通过兆易创新官方渠道获取样品及技术文档，批量订单可享受定制化固件开发服务。
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息，其核心制造部门——英特尔代工厂（Intel Foundry）的“初步”裁员已于7月中旬展开，预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调，该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”，此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕，标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后，美光也正式向核心客户发出通知，确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息，三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程，标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED"，但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视（LCD），通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布，其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份，标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计，仅在散热方案上存在差异，均配备288GB HBM3E内存，较上一代MI300X的192GB提升50%，比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技（02382.HK）近期披露2025年5月出货量数据，呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下，公司业务版图正经历深度调整。
