发布时间：2025-04-14 阅读量：250 来源: 综合自网络 发布人: wenwei
【导读】韩国媒体Sedaily最新报道显示，三星电子在先进半导体制程领域正采取“跳跃式”技术战略。尽管其2nm GAAz制程（SF2）预计2025年量产，但公司已成立专项团队秘密推进1nm制程研发，目标在2029年实现量产。这一激进布局被业界视为对台积电的全面技术围堵。
2nm制程进展：性能提升但良率差距显著
三星SF2制程采用第三代全环绕栅极（GAA）技术，相较前代SF3性能提升12%、能效优化25%，芯片面积缩小5%。消息称，该制程良率已从初期30%提升至40%，计划2025年第四季度量产，首款搭载产品或为2026年上市的Galaxy S26旗舰手机所用Exynos 2600处理器。不过，台积电2nm制程进展更迅猛，传闻良率已达80%，并将在2024年下半年率先量产，已开放客户订单，或进一步挤压三星高端芯片代工市场份额。
战略急转：放弃1.4nm押注1nm
为缩小与台积电的技术代差，三星近期做出重大战略调整——暂停1.4nm制程开发，将资源集中投入2nm量产及1nm研发。这一决策意味着三星跳过传统制程迭代节奏，直接挑战半导体物理极限。但1nm制程需依赖ASML新一代High NA EUV光刻机（数值孔径0.55），而三星目前尚未获得该设备，为2029年量产目标增添不确定性。
行业变局：设备争夺战与生态博弈
当前ASML年产能仅10台High NA EUV光刻机，台积电、英特尔已率先抢购。若三星无法及时获取关键设备，其1nm研发进度恐受掣肘。与此同时，三星正加速构建2nm客户生态，除自研Exynos芯片外，传闻正与谷歌、特斯拉等企业接洽，力图在自动驾驶、AI芯片领域分食台积电订单。
分析师指出，三星“技术蛙跳”战略风险与机遇并存：若1nm成功突破，或改写全球晶圆代工格局；但若设备供应与良率爬坡滞后，台积电2nm-1.4nm-1nm的渐进路线仍将保持代际优势。这场“埃米级战争”或将决定未来十年半导体产业权力版图。
在万物互联与智能化浪潮席卷全球的今天，新唐科技以颠覆性创新奏响行业强音。4月25日，这场历时10天、横跨七城的科技盛宴在深圳迎来高潮，以"创新驱动AI、新能源与车用科技"为主题，汇聚全球顶尖行业领袖，首次公开七大核心产品矩阵，展现从芯片设计到智能生态的全链条创新能力，为半导体产业转型升级注入新动能。
在2025年北美技术研讨会上，台积电正式宣布其A14（1.4nm）工艺将于2028年量产，并明确表示无需依赖ASML最新一代High NA EUV光刻机。这一决策背后，折射出全球半导体巨头在技术路线、成本控制和市场竞争中的深层博弈。
随着AIoT技术的快速落地，智能设备对高性能、低功耗嵌入式硬件的需求持续攀升。华北工控推出的EMB-3128嵌入式主板，搭载Intel® Alder Lake-N系列及Core™ i3-N305处理器，以高能效比设计、工业级可靠性及丰富的接口配置，成为轻量级边缘AI计算的理想选择。该主板支持DDR5内存、多模态扩展接口及宽温运行环境，可广泛应用于智能家居、工业自动化、智慧零售等场景，助力产业智能化升级。
作为全球半导体沉积设备领域的龙头企业，荷兰ASM国际（ASMI）近日发布2024年第一季度财报，展现强劲增长动能。财报显示，公司当季新增订单额达8.34亿欧元（按固定汇率计算），同比增长14%，显著超出市场预期的8.08亿欧元。这一表现主要受益于人工智能芯片制造设备需求激增与中国市场的战略性突破，同时反映出半导体产业技术迭代与地缘经济博弈的双重影响。
随着汽车智能化加速，车载摄像头、激光雷达、显示屏等传感器数量激增，数据传输带宽需求呈指数级增长。传统国际厂商基于私有协议（如TI的FPD-Link、ADI的GMSL）垄断车载SerDes市场，导致车企供应链弹性不足、成本高企。2025年4月，纳芯微电子发布基于HSMT公有协议的全链路国产化SerDes芯片组（NLS9116加串器与NLS9246解串器），通过协议解耦、性能优化与供应链自主可控，为ADAS、智能座舱等场景提供高性价比解决方案，标志着国产车规级芯片从“跟跑”迈向“并跑” 。
