发布时间：2025-04-14 阅读量：349 来源: 综合自网络 发布人: wenwei
【导读】韩国媒体Sedaily最新报道显示，三星电子在先进半导体制程领域正采取“跳跃式”技术战略。尽管其2nm GAAz制程（SF2）预计2025年量产，但公司已成立专项团队秘密推进1nm制程研发，目标在2029年实现量产。这一激进布局被业界视为对台积电的全面技术围堵。
2nm制程进展：性能提升但良率差距显著
三星SF2制程采用第三代全环绕栅极（GAA）技术，相较前代SF3性能提升12%、能效优化25%，芯片面积缩小5%。消息称，该制程良率已从初期30%提升至40%，计划2025年第四季度量产，首款搭载产品或为2026年上市的Galaxy S26旗舰手机所用Exynos 2600处理器。不过，台积电2nm制程进展更迅猛，传闻良率已达80%，并将在2024年下半年率先量产，已开放客户订单，或进一步挤压三星高端芯片代工市场份额。
战略急转：放弃1.4nm押注1nm
为缩小与台积电的技术代差，三星近期做出重大战略调整——暂停1.4nm制程开发，将资源集中投入2nm量产及1nm研发。这一决策意味着三星跳过传统制程迭代节奏，直接挑战半导体物理极限。但1nm制程需依赖ASML新一代High NA EUV光刻机（数值孔径0.55），而三星目前尚未获得该设备，为2029年量产目标增添不确定性。
行业变局：设备争夺战与生态博弈
当前ASML年产能仅10台High NA EUV光刻机，台积电、英特尔已率先抢购。若三星无法及时获取关键设备，其1nm研发进度恐受掣肘。与此同时，三星正加速构建2nm客户生态，除自研Exynos芯片外，传闻正与谷歌、特斯拉等企业接洽，力图在自动驾驶、AI芯片领域分食台积电订单。
分析师指出，三星“技术蛙跳”战略风险与机遇并存：若1nm成功突破，或改写全球晶圆代工格局；但若设备供应与良率爬坡滞后，台积电2nm-1.4nm-1nm的渐进路线仍将保持代际优势。这场“埃米级战争”或将决定未来十年半导体产业权力版图。
英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息，其核心制造部门——英特尔代工厂（Intel Foundry）的“初步”裁员已于7月中旬展开，预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调，该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”，此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。
全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕，标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后，美光也正式向核心客户发出通知，确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。
据行业消息，三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程，标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED"，但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视（LCD），通过创新背光方案实现画质跃升。
AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布，其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份，标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计，仅在散热方案上存在差异，均配备288GB HBM3E内存，较上一代MI300X的192GB提升50%，比MI325X提升12.5%。
全球光学龙头舜宇光学科技（02382.HK）近期披露2025年5月出货量数据，呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下，公司业务版图正经历深度调整。
