发布时间：2025-04-10 阅读量：481 来源: 综合自网络 发布人: wenwei
【导读】全球存储芯片巨头SK海力士近日在先进制程领域取得重大突破。据韩国媒体《Hankooki》4月9日报道，该公司第六代10nm级（1c）制程DRAM的良率已从2024年下半年的60%大幅提升至80%，正式跨过量产门槛，标志着新一代存储芯片技术迈入规模化生产阶段。
技术革新驱动量产提速
SK海力士于2023年8月率先发布全球首款基于1c制程的DDR5 DRAM芯片。该技术作为第五代1b制程的延伸版本，通过微缩化工艺优化，在芯片生产效率、运行速度和综合性能上实现显著提升。目前，除DDR5外，新一代LPDDR6移动内存和GDDR7显存也将采用这一制程。行业分析指出，80%-90%的良率通常被视为DRAM量产的经济临界点，此次突破意味着SK海力士已掌握成熟的生产控制能力。
HBM领域应用仍需时间沉淀
尽管1c制程进展迅速，但在当前火热的HBM（高带宽内存）市场，SK海力士仍选择"稳中求进"。据供应链消息，计划于今年量产的HBM4产品将继续沿用更成熟的第五代1b制程。业内人士分析，HBM因3D堆叠结构和异构集成的高复杂性，对制程稳定性和封装技术要求更为苛刻。SK海力士此举或为保障HBM产品在AI服务器等高端市场的可靠性，预计1c制程渗透至HBM领域仍需1-2年技术验证期。
市场格局或迎新一轮洗牌
随着1c制程DRAM的量产，SK海力士有望进一步巩固其在DDR5市场的领先地位。TrendForce数据显示，截至2024年Q1，该公司在全球DRAM市场的份额已达33.8%，仅次于三星电子。此次技术突破或将加速存储芯片价格下行周期，推动PC、服务器等终端产品升级换代。不过，美光、三星等竞争对手的1c制程研发进度亦受业界密切关注，先进制程竞赛正进入白热化阶段。
推荐阅读：
三星电子启动内部人力大调整 全力押注HBM4争夺AI芯片市场主导权
粤港澳大湾区擘画全球AI存算新生态 CITE2025启幕解码产业变革
TDK推出抗干扰汽车级双模霍尔传感器 赋能智能驾驶核心部件安全升级
Nexperia革新汽车电子防护：倒装芯片ESD技术领跑高速通信链路安全
韩国媒体Business Korea最新披露，全球处理器巨头AMD日前推出的革命性AI芯片MI350系列，已确认搭载三星电子最新研发的12层堆叠HBM3E高带宽内存。这一战略性合作对三星具有里程碑意义，标志着其HBM技术在新一代AI计算平台中获得核心供应商地位。
美国专利商标局近日授权苹果公司一项颠覆性专利（编号：US 11,985,623 B2），揭示了其下一代智能眼镜的模块化设计方向。该技术通过可拆卸式"支撑臂"（Securement Arms）创新结构，解决传统头戴设备舒适性与功能扩展的关键痛点。支撑臂从镜框两侧延伸，采用自适应力学分配系统，将设备重量分散至头部颞区及耳廓区域，有效降低鼻托70%以上压力负荷。
日本索尼半导体与美国存储巨头西部数据近日宣布达成战略合作，索尼将为西部数据下一代HAMR（热辅助磁记录）硬盘提供核心激光二极管组件。面对数据中心指数级增长的数据存储需求，此次合作标志着高容量硬盘技术产业化进程的关键突破。索尼计划投资50亿日元（约合3200万美元）在泰国工厂新建生产线，预计2026年该部件产能将实现翻倍增长。
2025年6月12日，TP-Link外销主体联洲国际（TP-Link Systems）位于上海张江的WiFi芯片部门启动重大裁员，从通知到离职手续仅用半天完成，涉及算法、验证、设计等核心岗位员工，仅保留少数成员。公司提供N+3的高额补偿方案，远高于中国法定的N+1标准，被视为当前裁员潮中的“清流”。行业分析指出，此次调整主要针对WiFi前端模块（FEM） 研发线，而非全面退出芯片领域。FEM作为连接芯片与天线的关键组件，其研发投入缩减与WiFi 7芯片量产进度延迟及成本控制压力直接相关。
2025年6月全球存储市场遭遇剧烈波动，DDR4内存现货价格单日暴涨近8%，创下近十年最大单日涨幅。据DRAMeXchange数据显示，截至6月13日，DDR4 8Gb（1G×8）3200颗粒均价飙升至3.775美元，单周涨幅达38.27%，本季度累计涨幅更突破132%。反常的是，DDR4价格竟反超新一代DDR5，形成罕见“价格倒挂”现象，业界直呼“十年未遇”。
