川土微CA-IS3223EHS-Q1半桥驱动器:±800V隔离+20V宽压,精准驱动中小功率系统

发布时间:2025-04-8 阅读量:269 来源: 川土微电子 发布人: wenwei

【导读】川土微电子全新推出的全国产化CA-IS3223EHS-Q1半桥栅极驱动器,以±800V高压隔离、20V宽电源供电和“高驱动+低延时”特性(+1.9A/−2.2A,70ns传输延时),重新定义中小功率场景的驱动效率。该产品通过高边电容隔离与低边非隔离的混合设计,兼顾严苛环境下的抗干扰能力(如20ns抗脉冲干扰)与灵活供电需求,并集成300ns死区时间以规避桥臂直通风险。其-40℃至125℃宽结温范围及AEC-Q100认证,全面覆盖工业、消费电子及汽车领域的高可靠性需求。


01产品概述


CA-IS3223EHS-Q1是一款高边隔离和低边非隔离的高速、高压半桥栅极驱动器,高边采用电容隔离技术,可耐受±800V隔离电压及高dv/dt环境,低边非隔离设计适配灵活供电需求。


  ●   宽电压兼容:支持3.3V/5V/15V逻辑输入,VDD/VBS供电范围最高达20V。

  ●   高驱动效率:低输出压降优化MOSFET/IGBT导通性能,集成300ns死区时间,避免桥臂直通风险。

  ●   严苛环境适配:结温覆盖-40℃至125℃,满足工业与车载场景的可靠性需求。


19.jpg


02特性


  ●   高性能驱动能力


   ○ 输出峰值电流:+1.9A(拉电流)/−2.2A(灌电流)

   ○ 低传输延时:70ns(典型值),脉宽失真≤10ns,确保信号精准同步。


  ●   高可靠隔离设计


   ○ 高边隔离耐压:±800V,低边非隔离适配灵活拓扑。

   ○ 高低压侧独立UVLO控制,抗脉冲干扰能力达20ns。


  ●   汽车级认证与封装


   ○ 符合 AEC-Q100要求,兼容RoHS标准。

   ○ 采用环保 SOIC8封装,兼顾紧凑性与散热需求。


03 典型应用场景


  ●   工业驱动:半桥驱动、电机控制(风扇/泵)、光伏逆变器。

  ●   消费电子:小家电、电源模块(DC/DC、AC/DC)。

  ●   汽车电子:车载电源、电机驱动系统。


样品申请:


川土微电子已开放免费样品申请与技术方案支持,助力您的产品快速落地。

申请通道:


访问官网www.chipanalog.com提交需求,或联系经销商申请。


作为国产半桥驱动方案的标杆,CA-IS3223EHS-Q1凭借紧凑环保的SOIC8封装与高性价比优势,已在光伏逆变、车载电源、小家电电机控制等场景崭露头角。无论是应对工业复杂工况,还是满足汽车电子对耐压与精度的双重要求,该器件均以精准同步、低损耗驱动的核心价值,助力客户实现高性能与成本的最优平衡,加速国产化替代进程。



推荐阅读:


村田中国携全场景医疗电子方案亮相CMEF 2025,以创新技术重塑智慧医疗生态

2025年HBM市场激战:英伟达B300芯片驱动需求,三大原厂竞逐技术制高点

国产半导体设备龙头净利飙升44%!北方华创连拓版图剑指千亿市场

宽禁带半导体技术驱动低碳未来:SEMICON China 2025揭示SiC/GaN产业新蓝图

Marvell以25亿美元出售汽车网络业务予英飞凌,盘后股价涨超3%



相关资讯
全球组织瘦身:英特尔启动新一轮裁员应对业绩挑战与战略转型

英特尔公司新一轮全球裁员行动正式启动。根据内部信息,其核心制造部门——英特尔代工厂(Intel Foundry)的“初步”裁员已于7月中旬展开,预计在本月底完成首阶段人员调整。公司高层在致工厂员工的备忘录中强调,该决策旨在“打造一个更精简、更敏捷、以工程及技术能力驱动的制造体系”,此举对于“赢得客户信任”及提升市场竞争力至关重要。

全球DRAM产业加速转向DDR5,美光正式启动DDR4停产计划

全球三大DRAM巨头——三星电子、SK海力士和美光科技——已正式拉开DDR4内存大规模停产的序幕,标志着主流内存技术加速进入更新换代期。继三星率先宣布其DDR4产品线将在2025年底结束生命周期后,美光也正式向核心客户发出通知,确认其DDR4/LPDDR4产品在未来2-3个季度内将逐步停止出货。

三星试产115英寸RGB MicroLED电视,高端显示技术再升级

据行业消息,三星电子近期在其越南工厂启动115英寸RGB MicroLED电视的试生产。电视业务负责人Yong Seok-woo亲赴产线视察流程,标志着该技术正式进入量产准备阶段。尽管产品命名包含"MicroLED",但技术本质为采用RGB三色MiniLED背光的液晶电视(LCD),通过创新背光方案实现画质跃升。

AMD与三星深化AI芯片合作,HBM3E加速量产推动AI服务器升级

AMD在AI Advancing 2025大会上正式宣布,其新一代MI350系列AI加速器将搭载三星电子与美光的12层堆叠HBM3E高带宽内存芯片。这是AMD首次公开确认三星的HBM3E供货身份,标志着双方战略合作进入新阶段。MI350X与MI355X两款芯片采用相同架构设计,仅在散热方案上存在差异,均配备288GB HBM3E内存,较上一代MI300X的192GB提升50%,比MI325X提升12.5%。

舜宇光学5月出货数据解析:车载业务强势增长,高端化战略重塑手机业务格局

全球光学龙头舜宇光学科技(02382.HK)近期披露2025年5月出货量数据,呈现“车载领跑、手机承压、新兴品类崛起”的鲜明态势。在汽车智能化浪潮与消费电子结构性升级的双重驱动下,公司业务版图正经历深度调整。