发布时间：2025-04-1 阅读量：1265 来源: 综合自网络 发布人: wenwei
【导读】全球半导体行业迎来重量级技术合作。意法半导体（STMicroelectronics，纽交所代码：STM）与国内氮化镓龙头企业英诺赛科（港交所代码：02577.HK）近日宣布签署战略协议，双方将在氮化镓（GaN）技术开发与晶圆制造领域深度协同，共同推动第三代半导体技术的规模化应用。
技术互补构建产业链新生态
根据协议，意法半导体将依托其在碳化硅（SiC）和硅基半导体领域的成熟经验，与英诺赛科全球领先的8英寸硅基氮化镓制造能力形成技术互补。双方计划联合开发新一代氮化镓功率器件，覆盖消费电子、数据中心、新能源汽车及工业电源系统等核心场景。值得注意的是，合作创新性地提出"跨境产能共享"模式——英诺赛科可调用意法半导体的海外晶圆厂产能，而意法半导体亦可使用英诺赛科位于中国的制造基地，这种双向供应链布局将显著增强双方在全球市场的交付能力。
IDM模式释放协同效应
作为全球少数实现氮化镓IDM（垂直整合制造）模式的企业，英诺赛科已累计出货超10亿颗器件，其8英寸生产线大幅降低了氮化镓成本。意法半导体APMS事业部总裁Marco Cassis表示："此次合作将加速氮化镓与现有硅基、碳化硅技术的融合，为终端客户提供更完整的功率半导体解决方案。"英诺赛科创始人骆薇薇博士强调，合作将突破氮化镓在高温、高可靠性场景的应用瓶颈，助力电动汽车和可再生能源系统实现能效跃升。
第三代半导体竞争格局生变
当前氮化镓市场规模年增速超70%，其在快充领域渗透率已超50%，并快速向数据中心电源、车载OBC（车载充电机）延伸。行业分析师指出，此次跨国合作或重构产业格局：意法半导体借力本土化产能可强化中国市场布局，而英诺赛科通过技术授权有望打开欧美高端市场。随着双方联合产品线2024年起逐步落地，第三代半导体的商业化进程或将按下快进键。
数据显示，采用氮化镓技术的电源系统可减少25%能量损耗，体积较传统方案缩小50%。在"双碳"目标驱动下，这场横跨欧亚的半导体巨头联姻，正为全球电子产业的高效低碳转型注入新动能。
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