发布时间：2025-03-25 阅读量：769 来源: 综合自网络 发布人: wenwei
【导读】英伟达与联发科的合作持续深化，双方在ASIC（专用集成电路）领域的布局迈出关键一步。通过整合英伟达的NVLink互连技术与联发科的长距离224G SerDes（串行器/解串器）IP，双方旨在为云端服务供应商（CSP）及企业客户提供高性能、定制化的芯片解决方案。联发科凭借其在先进制程（如3nm/2nm）和先进封装（如CoWoS）的丰富经验，结合英伟达的GPU加速生态与NVLink-C2C互连技术，共同打造了覆盖数据中心、智能汽车、AI PC等多场景的ASIC设计服务平台。业界分析认为，此次合作不仅帮助英伟达绕过“品牌包袱”快速切入ASIC市场，也为联发科打开了高端IP授权与定制化芯片业务的增长空间。
未来将有更多CSP业者寻求与联发科合作，而一旦客户采用NVLink IP，也能增加英伟达Switch解决方案之客户采购意愿、达到双赢局面。
在近期的英伟达GTC大会上，联发科介绍了其Premiun ASIC设计服务，显示联发科与英伟达的合作扩展至IP领域，更弹性的商业模式，能提供各式客制化芯片／HBM4E等，并具有丰富的Cell Library，以及先进制程、先进封装经验，提供定制化芯片完整解决方案。
联发科指出，其SerDes技术为ASIC核心优势，涵盖芯片互连、高速I／O、先进封装与內存整合；携手全球主要代工厂，于尖端制程节点深化合作，透过「设计技术协同优化（DTCO）」，在性能、功耗与面积（PPA）间取得最佳平衡。
其中，112Gb／s DSP（数位信号处理器）-based之PAM-4接收器，于4奈米FinFET制程打造，实现超过52dB损耗补偿，意谓更低信号衰减、更强捍之抗干扰特性；该技术不仅适用于以太网路、光纤长距传输。现在联发科更推出专为数据中心使用的224G Serdes、并已经完成硅验证。
根据调研机构指出，部分CSP（云端服务供应商）已在评价英伟达及联发科之IP组合的定制化设计芯片。尽管谷歌TPU（张量处理器）进度稍微递延，第七代TPU预计会在明年第三季投入量产，但采用3nm打造仍有望为联发科增加超过20亿美元之贡献。
供应链也透露，谷歌进阶到第八代的TPU，将会开始采用台积电2nm制程，持续在先进制程领域维持领先地位。业界也看好联发科成为中小企业AI需求的主要受益者。
展望未来，英伟达与联发科的合作或将重塑ASIC市场格局。通过NVLink IP的开放授权，英伟达可将其技术生态延伸至更多定制化芯片场景，同时推动客户采购其交换器解决方案，形成“IP+硬件”的协同效应。而联发科在SerDes技术上的突破（如224G超高速传输的硅验证成果）和与台积电的深度合作，将进一步提升其在数据中心与AI加速器市场的竞争力。随着谷歌、微软等CSP巨头加速定制化芯片布局，双方合作有望成为AI算力基础设施升级的关键推手，为全球半导体产业链注入新动能。
推荐阅读：
恩智浦全球首发16nm车规级MCU S32K5：MRAM+ASIL-D安全架构重构汽车智能生态
地平线2024年营收同比暴涨53.6% 智驾市占率超40%稳居中国第一
全球首块8英寸氮极性氮化镓衬底问世！九峰山实验室突破量产瓶颈
2025年第一季度，中国大陆PC市场（不含平板电脑）迎来开门红，整体出货量达到890万台，同比增长12%，呈现稳健复苏态势。与此同时，平板电脑市场表现更为亮眼，出货量达870万台，同比大幅攀升19%，显示出移动计算设备的持续受欢迎。
2025年6月17日，上海——全球智能电源与感知技术领导者安森美(onsemi, NASDAQ: ON) 在第九届北京国际听力学大会上展示了革新性听力健康技术。公司凭借Ezairo系列智能音频平台，重点呈现了人工智能在可穿戴听觉设备中的前沿应用，彰显其在个性化听觉解决方案领域的创新领导力。
在AI与可穿戴设备爆发式发展的背景下，传统霍尔传感器受限于封装尺寸（普遍≥1.1×1.4mm）和功耗水平（通常＞4μA），难以满足AR眼镜、智能戒指等新兴设备对空间与能效的严苛需求。艾为电子依托17年数模混合芯片设计经验，推出新一代Hyper-Hall系列霍尔传感器，通过0.8×0.8×0.5mm FCDFN封装与0.8μA工作功耗（后续型号将达0.1μA），实现体积较传统方案缩小60%，功耗降低80%。该系列支持1.1-5.5V宽电压，覆盖18-100Gs磁场阈值，提供推挽/开漏双输出模式，为微型电子设备提供底层传感支撑。
韩国科学技术院（KAIST）近期发布长达371页的技术预测报告，系统勾勒出2026至2038年高带宽内存（HBM）的发展路径。该研究基于当前技术趋势与行业研发方向，提出从HBM4到HBM8的五大代际升级框架，覆盖带宽、容量、能效及封装架构的突破性演进。
韩国媒体Business Korea最新披露，全球处理器巨头AMD日前推出的革命性AI芯片MI350系列，已确认搭载三星电子最新研发的12层堆叠HBM3E高带宽内存。这一战略性合作对三星具有里程碑意义，标志着其HBM技术在新一代AI计算平台中获得核心供应商地位。
