发布时间:2025-01-14 阅读量:1491 来源: 综合网络 发布人: bebop
在电子系统中,电磁兼容性(EMC)是一个至关重要的考量因素。EMC涉及设备或系统在电磁环境中正常工作而不对环境中的其他设备造成不可接受的电磁骚扰的能力。而共模干扰(Common-Mode Interference, CMI)和差模干扰(Differential-Mode Interference, DMI)是两种常见的电磁干扰形式,它们影响着电子系统的性能和可靠性。
一、共模干扰与差模干扰的区别
定义:
共模干扰是指两个导体上的电压相对于地线(或参考点)是相同的,即信号线上升沿和下降沿同时存在等量的噪声电流,且方向相同。这种干扰通常由电源线、接地不良或外界电磁场引起。
差模干扰则是指存在于一对信号线之间,相对于彼此的干扰。它表现为一个导体上的电压相对于另一个导体是不同的,即信号线之间存在差异性的噪声电流。
传播路径:
共模干扰通过信号线与地之间的耦合进行传播,也可能是由于不对称的布线或屏蔽不完全造成的。
差模干扰主要沿着信号线本身传播,因为它是信号线之间的干扰。
频率特性:
共模干扰往往集中在低频段,并且随着频率的增加,其幅度通常会减少。
差模干扰可以在更宽的频率范围内出现,并且可能在某些特定频率上更为显著。
二、共模干扰与差模干扰的解决方法
针对这两种类型的干扰,有不同的技术和策略可以用来抑制或消除它们:
对于共模干扰:
使用共模扼流圈(Common-Mode Choke),它可以有效地阻止共模电流流动,同时允许差模信号通过。
确保良好的接地实践,包括单点接地和避免形成接地环路。
应用屏蔽和正确的电缆布线技术,以防止外部电磁场的耦合。
使用滤波器来衰减不必要的高频成分。
对于差模干扰:
采用平衡传输线路,如双绞线或同轴电缆,能够自然抵消部分差模干扰。
增加差模电容,可以有效旁路差模干扰到地。
实施隔离变压器,以阻断直流偏置并提供更好的抗噪能力。
在电路设计时考虑使用差分放大器,这类放大器对差模信号有较高的增益,而对于共模信号则具有较低的增益,有助于提高信噪比。
总结而言,了解共模干扰和差模干扰的区别对于正确选择抑制措施至关重要。有效的EMC设计不仅需要理解这些概念,还需要结合实际应用场景采取适当的对策,确保电子系统在复杂电磁环境中稳定可靠地运行。
在万物互联与智能化浪潮席卷全球的今天,新唐科技以颠覆性创新奏响行业强音。4月25日,这场历时10天、横跨七城的科技盛宴在深圳迎来高潮,以"创新驱动AI、新能源与车用科技"为主题,汇聚全球顶尖行业领袖,首次公开七大核心产品矩阵,展现从芯片设计到智能生态的全链条创新能力,为半导体产业转型升级注入新动能。
在2025年北美技术研讨会上,台积电正式宣布其A14(1.4nm)工艺将于2028年量产,并明确表示无需依赖ASML最新一代High NA EUV光刻机。这一决策背后,折射出全球半导体巨头在技术路线、成本控制和市场竞争中的深层博弈。
随着AIoT技术的快速落地,智能设备对高性能、低功耗嵌入式硬件的需求持续攀升。华北工控推出的EMB-3128嵌入式主板,搭载Intel® Alder Lake-N系列及Core™ i3-N305处理器,以高能效比设计、工业级可靠性及丰富的接口配置,成为轻量级边缘AI计算的理想选择。该主板支持DDR5内存、多模态扩展接口及宽温运行环境,可广泛应用于智能家居、工业自动化、智慧零售等场景,助力产业智能化升级。
作为全球半导体沉积设备领域的龙头企业,荷兰ASM国际(ASMI)近日发布2024年第一季度财报,展现强劲增长动能。财报显示,公司当季新增订单额达8.34亿欧元(按固定汇率计算),同比增长14%,显著超出市场预期的8.08亿欧元。这一表现主要受益于人工智能芯片制造设备需求激增与中国市场的战略性突破,同时反映出半导体产业技术迭代与地缘经济博弈的双重影响。
随着汽车智能化加速,车载摄像头、激光雷达、显示屏等传感器数量激增,数据传输带宽需求呈指数级增长。传统国际厂商基于私有协议(如TI的FPD-Link、ADI的GMSL)垄断车载SerDes市场,导致车企供应链弹性不足、成本高企。2025年4月,纳芯微电子发布基于HSMT公有协议的全链路国产化SerDes芯片组(NLS9116加串器与NLS9246解串器),通过协议解耦、性能优化与供应链自主可控,为ADAS、智能座舱等场景提供高性价比解决方案,标志着国产车规级芯片从“跟跑”迈向“并跑” 。