晶振行业小型化趋势:3225及更小尺寸晶体

发布时间:2024-12-20 阅读量:8048 来源: YXC 发布人: bebop

主流晶振通常分为两种封装形式:贴片式与直插式。贴片式晶振相较直插式晶振体积更小,更广泛应用于智能化电子产品。目前通常采用3225(3.2*2.5mm)及以下尺寸的贴片式晶振。

图片1.png

 

 

Ø 小型化晶体

晶振作为电子设备中的重要时钟信号源,直接关系到设备的工作效率和稳定性。随着科技的发展,尤其是移动设备、可穿戴技术以及物联网(IoT)领域的崛起,智能化产品越来越趋向于便携式,因此对晶振的小型化的需求也逐渐增加。

 

Ø 市场趋势

目前,晶振的尺寸和性能已成为决定电子产品性能的重要因素。3225尺寸(3.2mm x 2.5mm)晶振由于其良好的综合性能,已广泛应用于消费类设备。随着消费电子产品向着更便携、更节能/更持久的方向发展,晶振行业的尺寸小型化趋势愈发明显。除了3225尺寸外,市场上逐渐涌现出更加紧凑尺寸的晶振比如:

2016 (2.0x1.6mm):这种尺寸的晶体振荡器比3225更小,适用于对空间要求非常严格的便携式设备和穿戴设备。

1610 (1.6x1.0mm):进一步缩小了尺寸,这种晶体振荡器适合于极小的空间需求,如智能手表、健康监测器等

1210 (1.2x1.0mm) 和 1008 (1.0x0.8mm):这些是最小的商业可用晶体振荡器之一,专为极端紧凑的应用设计,如微型传感器、RFID标签等。

这些更小尺寸的晶振不仅满足了设备小型化的需求,同时也在性能和稳定性方面也有良好的表现,成为可穿戴设备、物联网终端、智能家居等新兴市场的首选。

image.png 

Ø 市场趋势与未来展望

随着5G、物联网(IoT)等技术的发展,市场对于晶振的小型化、低功耗和高精度需求日益增长。预计未来晶振产品将朝以下几个方向发展:

尺寸进一步缩小:小型化是未来晶振技术发展的重要方向,随着制造工艺和技术的不断进步,预计晶振的尺寸将进一步减小,以适应更多应用场景的需求。像1210、1008等微型化产品可能逐步成为市场主流,满足更为紧凑的设备设计需求。

性能持续提升:虽然尺寸不断缩小,但高精度和高稳定性仍然是晶振产品的核心要求。未来的晶振不仅要在频率稳定性、温度稳定性和抗震性等方面达到更高标准,还需要能够满足5G通信、汽车电子等高端市场的高性能需求。

智能化应用扩展:晶振在智能设备中的应用将更加广泛,特别是在物联网、智能家居、可穿戴设备等领域。随着这些应用对晶振的性能和尺寸提出更高要求,晶振制造商需加快技术创新步伐,以适应市场的变化。

 

根据不同的产品需求YXC提供小尺寸晶振解决方案

image.png 

image.png 

image.png 

image.png

 

未来,随着材料科学和制造工艺的不断进步,我们可以预见更小尺寸的晶体振荡器将会被开发出来。并且随着技术的不断进步和市场需求的变化,未来还将有更多更小尺寸的晶体被开发出来敬请期待··· ···

 


相关资讯
中国PC市场2025年第一季度分析报告:消费驱动增长,本土品牌崛起

2025年第一季度,中国大陆PC市场(不含平板电脑)迎来开门红,整体出货量达到890万台,同比增长12%,呈现稳健复苏态势。与此同时,平板电脑市场表现更为亮眼,出货量达870万台,同比大幅攀升19%,显示出移动计算设备的持续受欢迎。

安森美携AI驱动听力解决方案亮相第九届北京国际听力学大会

2025年6月17日,上海——全球智能电源与感知技术领导者安森美(onsemi, NASDAQ: ON) 在第九届北京国际听力学大会上展示了革新性听力健康技术。公司凭借Ezairo系列智能音频平台,重点呈现了人工智能在可穿戴听觉设备中的前沿应用,彰显其在个性化听觉解决方案领域的创新领导力。

国产超低功耗霍尔传感器突破可穿戴设备微型化极限——艾为电子Hyper-Hall系列技术解析与行业前景

在AI与可穿戴设备爆发式发展的背景下,传统霍尔传感器受限于封装尺寸(普遍≥1.1×1.4mm)和功耗水平(通常>4μA),难以满足AR眼镜、智能戒指等新兴设备对空间与能效的严苛需求。艾为电子依托17年数模混合芯片设计经验,推出新一代Hyper-Hall系列霍尔传感器,通过0.8×0.8×0.5mm FCDFN封装与0.8μA工作功耗(后续型号将达0.1μA),实现体积较传统方案缩小60%,功耗降低80%。该系列支持1.1-5.5V宽电压,覆盖18-100Gs磁场阈值,提供推挽/开漏双输出模式,为微型电子设备提供底层传感支撑。

HBM技术演进路线图深度解析:从HBM4到HBM8的十年革新

韩国科学技术院(KAIST)近期发布长达371页的技术预测报告,系统勾勒出2026至2038年高带宽内存(HBM)的发展路径。该研究基于当前技术趋势与行业研发方向,提出从HBM4到HBM8的五大代际升级框架,覆盖带宽、容量、能效及封装架构的突破性演进。

三星HBM3E拿下AMD大单 288GB内存重塑AI算力格局

韩国媒体Business Korea最新披露,全球处理器巨头AMD日前推出的革命性AI芯片MI350系列,已确认搭载三星电子最新研发的12层堆叠HBM3E高带宽内存。这一战略性合作对三星具有里程碑意义,标志着其HBM技术在新一代AI计算平台中获得核心供应商地位。