贸泽电子开售能为电动汽车牵引逆变器提供可扩展性能的 英飞凌HybridPACK Drive G2模块

发布时间:2024-11-27 阅读量:2053 来源: 贸泽电子 发布人: bebop

2024年11月26日 – 提供超丰富半导体和电子元器件™的业界知名新品引入 (NPI) 代理商贸泽电子 (Mouser Electronics) 即日起开售英飞凌的HybridPACK™ Drive G2模块。HybridPACK Drive G2模块基于HybridPACK Drive G1,在相同的紧凑尺寸下提供更高的功率密度。HybridPACK Drive G2模块是一款高效率的汽车功率模块,适用于电动汽车 (EV) 以及混合动力电动汽车 (HEV) 的牵引逆变器。


英飞凌HybridPACK Drive G2模块结合了英飞凌新一代EDT3 (Si IGBT) 和CoolSiC™ G2 MOSFET芯片技术,可实现性能扩展。这款易于使用的功率模块拥有一系列可降低系统成本的先进功能,包括传感器集成选项和片上温度感测。HybridPACK Drive G2模块还提供多种封装增强功能,以提升性能和延长产品寿命。经过改进的引脚铆钉可确保此模块在整个温度范围内坚固耐用,PinFin基板则支持直接冷却。


HybridPACK Drive G2模块在750V和1200V电压下可提供高达300 kW的功率,改善了热导率和耐用性,非常适合恶劣环境。HybridPACK Drive G2 SiC具有针对栅极氧化物和宇宙射线的出色可靠性,与先进的IGBT解决方案相比,能将逆变器损耗降低三分之二。

 

作为全球授权代理商,贸泽电子库存有丰富的半导体、电子元器件以及工业自动化产品。贸泽旨在为客户供应全面认证的原厂产品,并提供全方位的制造商可追溯性。为帮助客户加速设计,贸泽网站提供了丰富的技术资源库,包括技术资源中心、产品数据手册、供应商特定参考设计、应用笔记、技术设计信息、设计工具以及其他有用的信息。

 

工程师还可以一键订阅免费的贸泽电子报,及时了解业界新品动态和资讯。在订阅贸泽的电子报时,我们可以根据您不断变化的具体项目需求来提供相关的新闻报道和参考信息。贸泽充分尊重用户的权利,让您能自由掌控想要接收的内容。

 

关于贸泽电子 (Mouser Electronics)


贸泽电子是一家授权半导体和电子元器件代理商,专门致力于向设计工程师和采购人员提供各产品线制造商的新产品。作为一家全球代理商,我们的网站mouser.cn能够提供多语言和多货币交易支持,提供超过1200家品牌制造商的680多万种产品。我们通过遍布全球的28个客户支持中心,为客户提供无时差的本地化贴心服务,并支持使用当地货币结算。我们从占地9.3万平方米的全球配送中心,将产品运送至全球223个国家/地区、超过65万个顾客的手中。


关于英飞凌


英飞凌是电力系统和物联网领域的全球知名半导体制造商,一直在利用其产品和解决方案推动低碳化和数字化。英飞凌半导体解决方案支持在日益互联的世界中实现高效的能源管理、智能移动以及安全流畅的通信。

 

注册商标


贸泽、贸泽电子、Mouser与Mouser Electronics是Mouser Electronics公司的注册商标。所有出现在此的其他产品、公司名称及标识均可能分属于各公司所有。

 

相关资讯
Diodes Q2财务报告:营收超预期增长,连续三季度同比上扬

Diodes公司近期公布了截至2025年6月30日的第二季度财务业绩,标志着其连续三个季度实现同比增长,显示出半导体市场的稳步复苏。根据报告,该公司在多个关键财务指标上表现稳健,受益于全球需求的逐步回升和市场结构优化。公司高层认为,这一业绩源于亚洲地区的强劲拉动和产品组合的适应性调整。

MACOM Q3营收同比激增32.3%,射频芯片龙头再创增长新高

美国射频半导体龙头企业MACOM Technology Solutions于8月7日正式公布截至2025年7月4日的第三财季业绩报告。财报显示,当季实现营收2.521亿美元,较去年同期大幅增长32.3%,创下近三年最高单季增速。

Microchip复苏计划成效显著:Q1营收环比增10.8%,库存大幅优化,AI/国防订单强劲

美国微芯科技公司(Microchip Technology)于8月7日发布了其2026财年第一季度(截至2025年6月30日)的财务报告。报告显示,公司业绩呈现显著复苏迹象,多项关键指标环比改善,并超出此前修订后的业绩指引。

产需趋向平衡!赛力斯7月新能源销量占比突破93%

8月8日,赛力斯集团(601127)公布2025年7月产销快报。数据显示,尽管整体市场仍承压,集团在主力新能源汽车板块显现增长韧性,单月销量同比提升5.7%,而传统燃油车型业务持续收缩,反映出业务转型的深化推进。

INS1011SD + VGaN™:颠覆传统BMS的低边保护方案

在追求更高效率、更小体积和更低成本的电力电子系统发展趋势下,传统的硅基(Si)功率器件,特别是在双向能量流动应用(如电池管理系统BMS)中常用的背靠背MOSFET方案,逐渐显现出性能瓶颈。氮化镓(VGaN™)器件凭借其卓越的开关速度、低导通电阻和更小的尺寸,成为理想的替代者。然而,充分发挥VGaN™的潜力需要与之高度匹配的专用驱动芯片。英诺赛科(Innoscience)作为全球领先的VGaN™ IDM厂商,推出全球首款100V低边驱动芯片INS1011SD,标志着“VGaN™+专用驱动”完整解决方案的成熟,为双向电力电子系统设计带来革命性突破。