晶振电路设计诀窍,工程师必备技巧!

发布时间:2024-11-15 阅读量:6329 来源: 综合网络 发布人: bebop

晶振作为时钟电路中必不可少的信号传递者,单片机要想正常运作就需要晶振存在。因此,在电子电路设计中也少不了晶振的参与。一个好的晶振电路设计,是能够为电子提供最好的空间利用率,同时发挥最大的功能性作用。
图片4.png


振荡原理

振荡器是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大器。从能量的角度来说,正弦波振荡器是通过自激方式把直流电能转换为特定频率和幅度的正弦交变能量的电路。对于任何一个带有反馈的放大电路,都可以画成下图所示结构:

image.png 

▲图1 振荡器

 

当增益满足∣f∣×∣a∣≥1,且相位条件满足α+β=2πn时,构成正反馈环路,起振条件得以满足。上图即构成一个振荡器。

 


晶振原理

当在晶体两端加上一定的交变电场,晶片就会产生机械形变,石英晶体振荡器是利用石英晶体的压电效应制的一种谐振器件,若在石英晶体的两个电极上加一电场,晶片就会产生机械变形。同时这个机械形变又会产生相应的交变电压,并且其特征频率下的振幅比其他频率点的振幅大得多。根据这个特点,为了得到低的起振电压和短的起振时间,在晶体两端施加的交变电压的频谱能量应主要集中在晶体的特征频率附近。

     image.png

▲图2 晶振等效电路

 

在一般情况下,晶片机械振动的振幅和交变电场的振幅非常微小,但当外加交变电压的频率为某一特定值时,振幅明显加大,比其他频率下的振幅大得多,这种现象称为压电谐振。石英晶体振荡器的等效电路如图2所示。当用石英晶体组成并联谐振电路时,晶体表现为感性,其等效品质因数Q值很高。等效阻抗频率特性如图3所示。

image.png 

▲图3 晶振等效阻抗

 

3中,Fr为串联谐振点。在频率为Fr = 1/(2π√LC)时,图2中串联的L、C谐振,串联支路等效为一个纯电阻。Fa为并联谐振点,此时串联支路等效为电感,与并联的C0谐振,Fa= Fr√1+C/C0。此时等效阻抗趋于无穷大。通常这两个频率点之间的差值很小。

总的来说,可以认为晶振在串联谐振时表现为电阻,在并联谐振时表现为电感。这里建议设计时采用并联谐振。

电工学上这个网络有两个谐振点,以频率的高低分其中较低的频率是串联谐振,较高的频率是并联谐振。

 


皮尔斯振荡器

倒相器作为放大器,同时提供180度的相移。而晶振及负阻电容作为反馈回路,提供剩下的180度相移。RF为反馈电阻,用来决定倒相器的直流工作点,使之工作在高增益区(线性区)。这个电阻值不能太小,否则会导致环路无法振荡。该电路利用晶振的并联谐振,由于并联谐振与C0有关,会受寄生电容影响,因此增加负载电容C1、C2,可减小C0对谐振频率的影响。同时C1、C2的加入会影响起振时间和振荡频率的准确度。负载电容的选择,应根据晶振供应商提供的datasheet的数值选择。在许可范围内,负载电容值越低越好。容值偏大虽有利于振荡器的稳定,但将会增加起振时间。

image.png 

▲图4 皮尔斯振荡器电路

 

Rs用于抑制高次谐波,从而使振荡器获得较为纯净的频谱。Rs的值若太小的话,可能会导致晶振的过分驱动(overdrive),导致晶振损坏或寿命减短。通常取Rs=XC2。Rs的影响可以由下图看出。

image.png 

▲图5 Rs的影响(来自参考资料)

 


电路设计

如图6,PM0和NM0构成倒相器,与片外电路共同组成振荡环路。PM7~PM9和NM7~NM9组成施密特触发器,对波形进行整形和放大。输出信号再经过两级倒相器,以提高输出级驱动能力。

image.png 

▲图6 xtal电路原理图

 


仿真结果演示

Rs小的时候,在同样的激励电压下,波形幅度比Rs大的情况小很多,导致XC输出为一根直线。

image.png 

▲XOUT

 

image.png 

▲图7 XOUT和XC的波形图

 


晶振设计注意事项

在低功耗设计中晶体的选择非常重要,尤其带有睡眠唤醒的系统,往往使用低电压以求低功耗。由于低供电电压使提供给晶体的激励功率减少,造成晶体起振很慢或根本就不能起振。这一现象在上电复位时并不特别明显,上电时电路有足够的扰动,很容易建立振荡。在睡眠唤醒时,电路的扰动要比上电时小得多,起振变得很不容易。在振荡回路中,晶体既不能过激励(容易振到高次谐波上)也不能欠激励(不容易起振)。

image.png 

 

晶体的选择应考虑以下几个要素:谐振频点、负载电容、激励功率、温度特性、长期稳定性。换句话说,晶振可靠性工作不仅受到负载电容的影响。对于负载电容的选择,应根据晶振供应商提供的datasheet的数值选择。在许可范围内,负载电容值越低越好。容值偏大虽有利于振荡器的稳定,但将会增加起振时间。有的晶振推荐电路甚至需要串联电阻RS,它一般用来来防止晶振被过分驱动。过分驱动晶振会渐渐损耗减少晶振的接触电镀,这将引起频率的上升,造成频率偏移,加速老化。

 


设计经验总结

01

首先要选择一个低的等效串联电阻的晶体。晶体串联电阻低有利于解决起振的问题。因为低的晶体等效阻值有利于增加环路增益。

 

02通过缩短印制电路板的连线间距来减低寄身电容。从而可以帮助解决起振问题和晶振频率稳定度的问题。

 

03应该保持对晶振应用温度和电压范围保持监控,从而保持晶体起振频率有必要的话要调整电容电阻的值。

 

04想要得到最佳效果,晶振设计应该采用Vdd峰峰值的至少40%作为驱动时钟反相器的输入信号。仅仅调节晶振两端是不能达到这一要求的。我们也可以参考晶振制造商的使用说明来获得关于晶振设计进一步的帮助。

 

05对于推荐最优化的R1的阻值可以这样得到,首先计算电容C1,C2的值,然后在R1的位置上设置一个电位计,将电位计的初始值设置为XC1。这样可以通过调节电位计来保证在所需要的频率下起振以及维持晶体稳态振荡。


相关资讯
CIS芯片龙头年报解读:格科微高像素战略如何实现287%净利增长

格科微电子(688728.SH)2024年度财务报告显示,公司年度营收突破63.83亿元人民币,实现35.9%的同比增幅,归母净利润呈几何级增长达1.87亿元,EBITDA指标跃升107.13%至14.15亿元。这种爆发式增长源自其在CMOS图像传感器(CIS)领域实施的"技术锚定+场景穿透"双轮驱动战略,特别是在高像素产品矩阵构建和新兴应用市场开拓方面取得突破性进展。

RS2604 vs 传统保险丝:技术迭代下的安全与效率革命

RS2604作为一款高集成度、可配置OVP(过压保护)和OCP(过流保护)的eFuse开关,专为12V24V母线电压接口设计,兼顾热插拔保护与动态负载管理。其输入电压覆盖4.5V40V,极限耐压高达45V,适用于工业设备、汽车电子及消费电子领域。通过外部电阻灵活设置350mA至2.5A的限流值,结合±7%高精度电流检测,RS2604在安全性与能效间实现平衡,成为复杂电源系统的核心保护方案。

全球汽车芯片市场遇冷,恩智浦如何守住56%毛利率防线?

荷兰半导体巨头恩智浦于2025年4月28日披露的财报显示,公司第一季度营收28.35亿美元,同比、环比均下滑9%,但略超市场预期。在汽车、工业与物联网等核心业务需求疲软的背景下,Non-GAAP毛利率同比下降2.1个百分点至56.1%,自由现金流则维持在4.27亿美元,突显其成本控制能力。值得关注的是,管理层对第二季度营收指引中值(29亿美元)释放出环比复苏信号,但关税政策的不确定性仍为业绩蒙上阴影。

全闪存与软件定义双轮驱动——中国存储产业年度趋势报告

根据IDC最新发布的企业级存储市场追踪数据,2024年中国存储产业迎来结构性增长拐点。全年市场规模达69.2亿美元,在全球市场占比提升至22%,展现出强劲复苏态势。以浪潮信息为代表的国内厂商持续突破,在销售额(10.9%)和出货量(11.2%)两大核心指标上均跻身市场前两强,标志着本土存储生态的成熟度显著提升。

索尼启动半导体业务战略重组 图像传感器龙头或迎资本化新篇章

全球消费电子巨头索尼集团近期被曝正酝酿重大战略调整。据彭博社援引多位知情人士透露,该集团拟对旗下核心半导体资产——索尼半导体解决方案公司(SSS)实施部分分拆,计划于2023年内推动该子公司在东京证券交易所独立IPO。该决策标志着索尼在半导体产业布局进入新阶段,同时也预示着全球图像传感器市场格局或将发生重要变化。