发布时间:2024-05-24 阅读量:795 来源: 综合网络 发布人: bebop
5月24日消息,据相关媒体报道,三星电子最新的高带宽内存(HBM)芯片尚未通过英伟达(Nvidia)的测试,三位知情人士表示,原因是热量和功耗问题。这些细微的技术参数,在高速运行的游戏和数据中心应用中,可能会放大成性能瓶颈,从而影响到整体的用户体验。
报道称,这些问题影响到了三星的 HBM3 芯片,该芯片是目前 AI GPU 最常用的第四代 HBM 标准。问题还影响了第五代 HBM3E 芯片。
三星在一份声明中表示,HBM 是一款定制内存产品,需要“根据客户需求进行优化流程”,并补充说,该公司正在通过与客户的密切合作来优化其产品。它拒绝对特定客户发表评论。
HBM,即高带宽内存,是一种新型的三维堆叠动态随机存取内存,具有更高的传输速率和更低的功耗,其中芯片垂直堆叠以节省空间并降低功耗,有助于处理复杂 AI 应用程序产生的大量数据。随着生成式 AI 热潮对复杂 GPU 的需求飙升,对HBM的需求也在飙升。而三星,作为全球半导体巨头,其HBM芯片的性能和质量一直是行业的标杆。
三位消息人士称,自去年以来,三星一直试图通过英伟达的HBM3和HBM3E测试。据其中两人透露,三星8层和12层HBM3E芯片最近一次失败的测试结果于4月得出。
目前,尚不清楚这些问题是否可以轻松解决,但三位消息人士表示,未能满足英伟达的要求增加了业界和投资者的担忧,即三星可能会进一步落后于竞争对手SK海力士和美光科技。
其中两人听取了三星官员对此事的简报,由于信息是机密的,因此不愿透露姓名。
三星的竞争对手SK海力士是英伟达HBM芯片的主要供应商,自2022年6月以来一直在供应HBM3。该公司还于3月下旬开始向一家不愿透露姓名的客户供应HBM3E。消息人士称,货物运往英伟达。
美光也表示将向英伟达提供HBM3E。
分析师表示,此举似乎凸显了三星对其在HBM中落后地位的担忧,三星本周更换了其半导体部门的负责人,称需要一位新高层人员来应对影响该行业的“危机”。
市场一直对三星作为全球最大的存储芯片制造商寄予厚望,认为三星将很快通过英伟达的测试,但像HBM这样的专业产品需要一些时间才能满足客户的性能评估,KB Securities研究主管Jeff Kim表示。
尽管三星尚未成为英伟达的HBM3供应商,但它为AMD等客户提供了产品,并计划在第二季度开始量产HBM3E芯片。三星在给路透社的声明中表示,其产品时间表正在按计划进行。
分析师还表示,SK海力士在2013年开发了第一款HBM芯片,在过去十年中,在HBM研发上花费的时间和资源远远超过三星,这是其技术优势的原因。
三星在声明中表示,它在2015年开发了第一个用于高性能计算的商用HBM解决方案,并从那时起继续投资HBM。
消息人士还表示,英伟达和AMD等GPU制造商希望三星完善其HBM芯片,以便他们能够拥有更多供应商选择并削弱SK海力士的定价能力。
在 3 月份的 Nvidia AI 会议上,英伟达首席执行官黄仁勋在三星展台上签署了一张标语牌,上面写着“Jensen 批准”三星的12层HBM3E,这突显了该公司对三星供应这些芯片的前景的热情。
根据研究公司Trendforce的数据,HBM3E芯片很可能成为今年市场上的主流HBM产品,出货量集中在2024年下半年。SK海力士估计,到2027年,对HBM存储芯片的需求总体上可能以每年82%的速度增长。
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