发布时间：2024-01-29 阅读量：3176 来源: 综合网络 发布人: bebop
1月29日消息，据研究机构TrendForce的报告，DRAM内存产品合约价自2021年第四季开始下跌，连跌8个季度，至2023年第四季度上涨。NAND Flash闪存合约价自2022年第三季度开始下跌，连跌4个季度，自2023年第三季度开始上涨。预计这两类存储芯片价格在2024年一季度大幅上涨18%左右。
同时TrendForce还预计，到2024年底，DRAM和NAND闪存组件价格预计将上涨约60%，甚至根据供应商对制造产能利用率的有效控制，可能涨幅更高也有可能。
存储芯片价格的上涨，有一部分是受益于AI服务器市场的热潮。
近段时间，ChatGPT引爆新一轮AI热潮，AI服务器需求激增，高带宽存储芯片HBM受到热捧，成为存储芯片行业发展的增量空间。
高端AI服务器需要采用高端AI芯片，而HBM是AI芯片的最强搭档，能够提升整体AI服务器的运算速度。目前，NVIDIA、AMD、Intel等高端AI芯片中大多选择搭载HBM。以以NVIDIA A100 80GB为例，每4到8张计算卡就需要320-640GB的HBM。
1月24日，全球HBM龙头厂商SK海力士公布了亮眼的2023年第四季度财报。得益于AI热潮，HBM销售量大幅增长，SK海力士一年来首次扭亏为盈。
据SK海力士发布的数据显示，SK海力士2023年第四季度营收攀升至11.3万亿韩元（合约84.57亿美元），同比增长47.4%，营业利润为3460亿韩元(合约2.59亿美元)，而上年同期营业亏损1.91万亿韩元。
SK海力士业绩大增的关键驱动力，就是AI热潮下的HBM。SK海力士业绩透露，2023年第四季度AI存储芯片HBM3和大容量移动DRAM等旗舰产品的销售额分别比上年同期增长了4倍和5倍以上。
TrendForce集邦咨询指出，2022年全球HBM容量约1.8亿GB，2023年增长约60%达2.9亿GB，2024年将再增长30%，HBM将处于供不应求态势。
如今高端AI服务器搭载HBM已成主流，三星、SK海力士、美光为首的存储芯片厂商，未来发力重点就是HBM。
总的来说，存储芯片的复苏迹象已清晰可见，涨价速度更是惊人，有望推动2024年全球芯片销售增长。
Diodes公司近期公布了截至2025年6月30日的第二季度财务业绩，标志着其连续三个季度实现同比增长，显示出半导体市场的稳步复苏。根据报告，该公司在多个关键财务指标上表现稳健，受益于全球需求的逐步回升和市场结构优化。公司高层认为，这一业绩源于亚洲地区的强劲拉动和产品组合的适应性调整。
美国射频半导体龙头企业MACOM Technology Solutions于8月7日正式公布截至2025年7月4日的第三财季业绩报告。财报显示，当季实现营收2.521亿美元，较去年同期大幅增长32.3%，创下近三年最高单季增速。
美国微芯科技公司（Microchip Technology）于8月7日发布了其2026财年第一季度（截至2025年6月30日）的财务报告。报告显示，公司业绩呈现显著复苏迹象，多项关键指标环比改善，并超出此前修订后的业绩指引。
8月8日，赛力斯集团（601127）公布2025年7月产销快报。数据显示，尽管整体市场仍承压，集团在主力新能源汽车板块显现增长韧性，单月销量同比提升5.7%，而传统燃油车型业务持续收缩，反映出业务转型的深化推进。
在追求更高效率、更小体积和更低成本的电力电子系统发展趋势下，传统的硅基（Si）功率器件，特别是在双向能量流动应用（如电池管理系统BMS）中常用的背靠背MOSFET方案，逐渐显现出性能瓶颈。氮化镓（VGaN™）器件凭借其卓越的开关速度、低导通电阻和更小的尺寸，成为理想的替代者。然而，充分发挥VGaN™的潜力需要与之高度匹配的专用驱动芯片。英诺赛科（Innoscience）作为全球领先的VGaN™ IDM厂商，推出全球首款100V低边驱动芯片INS1011SD，标志着“VGaN™+专用驱动”完整解决方案的成熟，为双向电力电子系统设计带来革命性突破。
